中微公司在等离子体刻蚀技术领域再次实现重大突破
摘要：近日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”）宣布通过不断提升反应台之间气体控制的精度，ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star® 又取得新的突破，反应台之间的刻蚀精度已达到0.2A（亚埃级）。
阅读：5432025年03月27日 14:19:29
摘要：近日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”）宣布通过不断提升反应台之间气体控制的精度，ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star® 又取得新的突破，反应台之间的刻蚀精度已达到0.2A（亚埃级）。
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