在2010年5月23～28日于美国西雅图举行的全球最大显示器国际学会“SID 2010”的研讨会上，备受关注的一大动向是采用非结晶氧化物半导体IGZO（In-Ga-Zn-O）的TFT底板技术。在液晶面板方面，台湾友达光电（AUO）发布的32英寸产品 在SID上引起轰动。而在有机EL面板方面，除了索尼的11.7英寸产品以外，韩国三星移动显示器（Samsung Mobile Display，SMD）、韩国LG显示器（LG Display ，LGD）和友达光电三家大型面板厂商进行了技术发布。

　　三星移动显示器开发出采用蚀刻阻挡型TFT构造的19英寸产品

　　图1：三星移动显示器的19英寸产品。

　　 三星移动显示器发布了曾经在2009年10月于太平洋横滨会展中心举行的“FPD International 2009”上展出过的19英寸有机EL面板。IGZO TFT采用七张掩模形成，因此IGZO层采用DC溅射法在室温下成膜。TFT构造采用蚀刻阻挡（Etch Stopper）构造，除了由于源极和漏极的蚀刻处理等而产生的特性劣化外，还在TFT阵列形成后，在250℃下进行了一个小时的热处理，从而提高了工艺的再现性。载流子迁移率为21cm2/Vs，亚阈值摆幅（Subthreshold Swing，S值）为0.29V/decade，导通截止比超过108。  

　　19英寸产品的像素数为960×540，精细度为58.4ppi。每个TFT像素配备了五个晶体管和两个电容器（5T2C）。有机EL元件的元件构造为从TFT底板中提取光的底部发光（Bottom Emission）型。红色采用了磷光材料，绿色和蓝色采用了荧光材料。

　　LG显示器通过源极和漏极来保护IGZO

　　图2：LG显示器的2.8英寸产品。

　　LG显示器开发出了采用IGZO TFT的2.8英寸产品。此次开发的IGZO TFT改良了逆交错型构造，采用了使用源极和漏极来保护IGZO层的构造。该公司在源极和漏极中采用了Mo/Ti。下侧的Ti电极采用了可以覆盖整个IGZO层的构造。将该Ti电极用作蚀刻上侧Mo电极时的保护层，从而抑制了特性老化。然后，位于通道上部的Ti电极通过氧等离子体处理，成为了具有绝缘性的TiOx。  

　　制作的IGZO TFT的载流子迁移率为9cm2/Vs，亚阈值摆幅（S值）为0.78V/decade，导通截止比超过108。

　　友达光电采用同一平面型TFT构造

图3：友达光电的2.4英寸试制品。  

　　友达光电发布的2.4英寸有机EL面板，与该公司的32英寸液晶面板一样采用了同一平面（Coplanar）型TFT构造。载流子迁移率为6.2cm2/Vs，亚阈值摆幅（S值）为0.19V/decade，导通截止比超过107。  

　　2.4英寸开发产品的像素数为240×320。每个TFT像素配备了两个晶体管和一个电容器（2T1C）。有机EL元件的元件构造为底部发光型。该产品曾经在FPD International 2009展出过。