在国际显示器技术学会“16th International Display Workshops（IDW '09）”有源矩阵显示器会议上，夏普的微晶硅-TFT液晶面板成了这次关注的焦点（论文序号AMD-2）。5年前，微晶硅-TFT在“SID（Society for Information Display）”学会上也曾名噪一时，但由于实际生产困难，最近几乎销声匿迹。此次，随着夏普亲自试制面板，在面板中安装扫描驱动电路和非晶Si（a-Si）TFT难以配备的多路分配器（DeMUX：De-multiplexer）电路，再配合新闻发布会上的演示，外界对于“实际投产”的期待随之点燃。

　　TFT的迁移率为1.5cm2/Vs左右，数字虽然不大，但据称可靠性有大幅提升，可以应用于有机EL面板用TFT底板和DeMUX电路。如果设计得当，120Hz驱动2K×4K面板也能够实现。由于只需优化等离子CVD的成膜条件即可，因此，第10代（底板尺寸2880mm×3130mm）a-Si TFT生产线也可以采用。这样，微晶硅-TFT就有望与氧化物TFT分庭抗礼，成为“新一代TFT的首选”。使用该TFT试制有机EL面板时，误差和可靠性能够达到什么程度？这一点十分令人期待。

　　该试制面板的参数如下。

　　屏幕尺寸　对角线12.1英寸

　　像素　WXGA（1280×RGB×800）

　　扫描驱动电路　内置

　　1：3 DeMUX电路　内置

　　驱动IC总数　2个

　　根据推测，该TFT没有特别显眼的耀斑和串扰，像素TFT特性良好。夏普在后续发表（论文序号AMD2-2）中还表示，通过结合准分子激光退火，微晶硅-TFT的特性（使迁移率达到2.2cm2/Vs）得到了提升。

　　低温多晶硅（p-Si）TFT方面，台湾统宝光电（TPO Displays ）发表了借助面板内置型光电二极管实现背照灯自动亮度补偿功能的TFT液晶面板（论文序号AMD1-3）。p-i-m(metal)结构的堆栈型a-Si光电二极管利用低温p-Si TFT制造工艺形成于面板内。光电二极管的动态范围达到了5～5.5万勒克斯，能充分保证自动亮度补偿功能的工作裕度。而且，a-Si光电二极管采用p-i-m结构代替了p-i-n结构，这使得工程量的增加降到了最小。面板内置有配备工作阈值自我校正功能的比较器，只需完成控制器的初期设定，就能够充分抑制面板间亮度补偿灵敏度的偏差。

　　随着驱动IC价格雪崩，板上系统的成本意义（即内置驱动电路的意义）正在消失，对于面临此局面的低温p-Si TFT，这是一场能够带来新附加值的现实性发表。而且，该光电二极管还能够应用于内嵌式触摸屏。希望这在不远的将来能够实现。

　　AMD会议上还有很多关于低温p-Si TFT的有趣发表。东芝移动显示器发表了内置3bit像素内存，借助亚像素电极面积的二进制加权实现D-A转换的板上系统（论文序号AMD1-1）。夏普发表了利用PNLC将驱动频率降低至1Hz，通过配合内置像素内存实现96×96像素10～30μW超低功耗的板上系统（论文序号AMD1-2）。台湾友达光电（AUO）发表了内置非挥发性内存的低温p-Si TFT液晶面板（论文序号AMD1-4L）。（日经BP社）