在显示器技术国际学会“16th International Display Workshops(IDW '09)”的氧化物TFT分会上,夏普就首次试制的氧化物TFT液晶面板进行了技术发表(论文序号AMD7-4)。日本的大型厂商追赶面板试制开发处于领先地位的韩国厂商,这对日本未来的发展是一件值得欣喜的事情。在开发者见面会(Authors interview)上演示的2.6英寸QVGA(320×240像素)面板的完成度也很高,由此可以看出夏普为开发该产品进行了全力投入。
TFT结构为传统的反向通道蚀刻(Back Channel Etch)型。氧化物半导体采用IGZO(In-Ga-Zn-O)。
特性偏差方面,通过对320mm×400mm底板上的21个点进行测量,迁移率μ=13.4±0.9cm2/Vs(σ=0.5),阈值电压Vth=3.0±0.4V(σ=0.2)。对于人们关心的可靠性,夏普称基于DC偏压应力的Vth偏移在25℃下为非晶硅(a-Si)TFT的1/4左右程度,在85℃下是其1/10左右。基于脉冲偏压的Vth偏移在60℃下为a-Si TFT的70%左右。该公司称,作为液晶面板工作时,在60℃条件下,其TFT特性1000小时内不会发生变化。
另外,虽然论文集(Proceedings)中没有纪录,但夏普还介绍说,利用该IGZO TFT试制出了与前一天发布的微晶硅TFT液晶面板(参阅本站报道)相同的微晶硅TFT12.1英寸WXGA面板,并进行了现场演示。遗憾的是该公司并没有在开发者见面会上进行演示,面板的参数如下。
面板尺寸:对角12.1英寸
像素:WXGA(1280×RGB×800)
扫描驱动电路:内置
1:3 DeMUX电路:内置
驱动IC总数:2个
从面板的特性及可靠性方面来看,虽然内置扫描驱动电路及多路分配器(DeMUX:De-multiplexer)电路的难度较高,但不久的将来也有可能实现。此次的技术发布中提到了论文中没有提及的面板,这说明开发速度非常快,今后还有望开发出新面板。
尽管氧化物TFT分会是在学会最后一天的下午举办的,但与会者非常多,气氛十分热烈。在开发者见面会上,与会者积极进行讨论,足以感受人们对该领域的期待程度。(日经BP社)
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