Microchip 2月20日宣布计划投资 8.8 亿美元，以扩大美国科罗拉多州科罗拉多斯普林斯（Colorado Springs）的半导体厂，以因应未来数年的碳化硅 (SiC) 和硅 (Si) 芯片产能，强化车用、航天及国防等应用所需的第三代半导体。

　　Microchip 扩建计划的重要部分，包括开发和升级占地 50 英亩、58 万平方英尺的科罗拉多斯普林斯厂区，增加应用在汽车、智慧移动、电网基础设施、绿色能源，以及航天和国防应用的碳化硅制造。

　　Microchip 总裁暨执行长莫西（Ganesh Moorthy）表示，Microchip 与科罗拉多斯普林斯市、州政府的合作历史悠久，美国芯片与科学法案的投资税收抵免，对 Microchip 业务发挥正面影响，Microchip 正积极为几座半导体工厂寻求产能扩张补助金，包括科罗拉多斯普林斯工厂在内。

　　Microchip 指出，科罗拉多斯普林斯区目前拥有超过 850 名员工，主要生产 6 吋晶圆芯片，因此 Microchip 规划建置 8 吋晶圆制造设施，可大幅增加生产芯片数量，新厂预计新增 400 个工作机会，范围从生产专家到设备采购和管理、制程控制和测试工程方面的技术职位。

　　Microchip 类比事业部资深副总裁西蒙西（RichSimoncic）指出，凭借 Microchip 对碳化硅领域投资超过 20 年，丰富产品组合开发目标就是为客户提供创新的电源解决方案，科罗拉多新厂是生产碳化硅技术不可或缺的一部分，以确保客户过渡到碳化硅解决方案时的供应确定性。