根据韩国经济日报5月23日报导，韩国政府已正式向美国表明，希望能重新检视美国芯片与科学法案资金补助的附带条件，以进一步放宽当前已经在美国投资的韩国半导体厂商，未来在中国的扩产限制。

　　报导指出，韩国政府已经在5月 23 日对美国商务部提出正式要求，要美国政府针对芯片与科学法案提供资金补助的附带条件重新检视，因为这些条件关系着韩国半导体厂商未来在中国发展的关键。韩国政府表示，美国芯片与科学法案资金补助的附带条件不应给已经在美国进行投资的公司带来不合理的压力与负担。

　　根据美国芯片与科学法案资金补助的附带条件规定，接受美国政府资金补助的企业，未来 10 年在中国或被关注的国家产线的扩产，先进制程仅准许增加 5%，成熟制程则仅允许增加 10%。对此，韩国政府要求美国对先进制程的产业扩产限制要提高到 10%。

　　至于，针对先进与成熟半导体制程的区别，美国商务部的定义是逻辑芯片生产制程低于 28 奈米以下、DRAM 制程低于 18 奈米以下、NAND Flash 快闪存储器高于 128 层堆栈者就属于先进半导体制程，反之就是成熟半导体制程。而做出这样的限制，美国的目的就是要限制中国在先进半导体制程上的发展。

　　报导强调，韩国政府会对美国提出对芯片与科学法案提供资金补助的附带条件重新审视，是因为目前已经在美国进行投资的韩国三星与 SK 海力士两大半导体厂商，旗下在中国都有庞大的产线。

　　其中，三星在中国西安有一座 NAND Flash 快闪存储器工厂，在苏州也有一座芯片封装厂。而三星的西安工厂产能，占该公司全球 NAND Flash 快闪存储器近 40% 的产能。另外，SK 海力士在无锡有一座 DRAM 工厂，在大连经营一家 NAND Flash 快闪存储器工厂，在重庆则有一座芯片封装厂。当中， SK 海力士的无锡工厂，生产该公司全球 48% 的 DRAM。

　　2022 年 10 月，美国政府公布了对中国半导体的全面出口管制，同时给予韩国相关企业公司一年的暂缓期，允许期间内升级在中国的产线设施。而鉴于一年宽限期即将结束，三星和 SK 海力士灯已经停止了在中国的新投资，同时等待美国的下一步行动。另外，韩国方面还要求美国在最终确定附带条件前，除积极考虑其他意见，还希望就相关问题继续进行双边的密切沟通和。根据规定，美国商务部在审查相关各方提交的意见后，计划在年底前公布最终规则。