日本电装株式会社及三菱电机株式会社10月10日宣布，向美国光电子产品生产商相干（Coherent）的碳化硅业务独立子公司分别投资5亿美元，各获得12.5%的非控股权益。电装与三菱电机将向这家公司采购150mm和200mm碳化硅晶圆。

　　根据交易条款，电装和三菱电机将各投资5亿美元，以获得Coherent 碳化硅业务12.5%的非控股所有权，Coherent 拥有剩余75%的所有权。在交易完成之前，Coherent 将把SiC业务剥离出来，成立新的子公司独立运营。

　　Coherent表示，在对公司SiC业务的战略选择进行全面审查之后，决定成立一家独立子公司，并由碳化硅功率器件和模块领域的2大领先企业电装和三菱电机进行战略投资。

　　三菱电机与电装表示，通过投资Coherent，可加强双方的垂直合作，确保稳定采购高质量的 6/8英寸碳化硅晶片，扩大公司的SiC 功率器件业务。

　　实际上，三菱电机与Coherent在6英寸SiC业务上保持着长期合作，并在今年5月达成了8吋产品的合作——两家公司已经签署了谅解备忘录（MOU），Coherent将为三菱电机在日本熊本县建设的8吋SiC新工厂供应8英寸n型4H SiC衬底，该工厂的投资金额约51亿元人民币。

　　各大企业加速布局SiC

　　过去一段时间，SiC产业在产能供应，尤其是衬底的供应一直紧缺，为此龙头企业大多与其供应商签署了长期供货协议来保障需求。如今随着这些供应商新增的产能投入量产，以及新玩家也开始进入市场，从衬底、外延到器件的供应合作延伸出更多的种类。

　　前不久，SiC晶圆与器件供应商Wolfspeed与瑞萨签署的十年SiC供应合约，为后者提供衬底和外延；ST与三安今年签署的合作协议，三安将为ST提供SiC外延及器件制造；三菱电机在计划新建一座8英寸SiC晶圆厂的同时，与Coherent签署合作协议，将大规模采用后者的8英寸SiC衬底。

　　随着新能源汽车创新周期加速，为更好地把控规模成本和品质，汽车Tier 1供应商如博格华纳、大陆、联合电子、纬湃科技、电装等均早已积极布局以SiC模块为主的器件供应合作。

　　Wolfspeed和安森美均与博格华纳等签署了供货协议；上汽集团与Infineon的股权合作，二者合资成立上汽Infineon汽车功率半导体；还有吉利与芯聚能合资的芯粤能等。

　　上半年与SiC相关的扩产项目以及预期资本支出加起来总金额上千亿元（折合成人民币），扩产的内容主要围绕衬底、外延、器件，而应用的方向也大多数以电动汽车为主。在这其中，国际厂商仍是主力军。

　　上半年，汽车Tier 1巨头Bosch博世先后两次公布扩产计划：1月，博世表示计划在江苏苏州建设一家工厂（博世新能源汽车核心部件及自动驾驶研发制造基地），生产内容包含SiC功率模块等，主要目的是为当地汽车制造商提供研发、测试和制造汽车零件以及自动驾驶技术。该基地已于3月奠基。

　　在此基础上，Bosch于4月宣布同意购买美国加州芯片制造商TSI半导体公司的关键资产，并将投资15亿美元扩大美国电动汽车SiC芯片的生产。加上Bosch在德国罗伊特林根的工厂（从2021年底开始一直在量产SiC芯片），Bosch对车用SiC的全球化布局正在逐步深化。

　　功率半导体头部企业On Semi也一直在推进SiC器件的全球化扩张计划。5月消息，On Semi表示，考虑投资20亿美元在美国、捷克共和国或韩国扩产电动车用SiC芯片。

　　实际上，On Semi近两年来在多个国家的基地频繁扩产，既表明了其对SiC汽车市场前景的信心，也侧面反映了其在该市场的业务拓展颇有成效，这可与其财报相呼应：汽车业务收入持续创新高记录，去年Q4同比增长54%。而且，据观察，On Semi目前业务聚焦度正在逐渐升高，未来将继续加大对SiC汽车功率半导体领域的投资。

　　IDM厂商Wolfspeed持续走在大尺寸材料扩产赛道的前头。在美国两大工厂的基础上，Wolfspeed今年又宣布将在欧洲建设了一个新的8英寸SiC器件工厂，继续刷新“全球最大8英寸工厂”的记录。Wolfspeed直言，欧洲工厂将与莫霍克谷器件工厂（已向中国终端客户批量出货SiC MOSFET）、John Palmour SiC制造中心（美国北卡罗来纳州SiC材料工厂，目前正在建设中）共同构成公司65亿美元产能扩张大计划的重要组成部分。

　　ST也加大了对8英寸SiC的投资。今年6月，ST宣布将与三安光电在中国成立8英寸SiC器件制造合资企业，三安光电将配套建设一座8英寸衬底厂。合资公司预计2025年第四季度投产，将帮助ST实现2030年SiC收入超过50亿美元的目标。

　　从几大头部厂商的扩产动作可以发现，车用SiC、8英寸是扩产的重点。从区域市场布局来看，中国作为新能源产业大国，是国际厂商不容错过的市场。

　　总得来说，SiC生态上下游各类型的合作迅速增加，尽管产能扩张带来的风险不可避免，但对SiC技术的进一步成熟和应用无疑更为有利。