尔必达社长坂本：“借助与其他公司的垂直合作取胜”

编辑：hattie 2011-01-27 10:25:37 浏览：1037 来源：

　　　　日本尔必达存储器代表董事社长兼CEO坂本幸雄在2011年1月24日《日经电子》举办的“世界半导体峰会＠东京2011～半导体产业，成长宣言～”上登台发表演讲，介绍了该公司的业务战略。坂本在演讲中表示：“将与微处理器和闪存厂商等逐步构建垂直型合作模式来取代传统的水平分工模式。先行完成团队建设的DRAM厂商将占据优势”。对于部分媒体报道的将与某台湾DRAM厂商的经营合并，坂本表示“还要再等一段时间才能透露”。

　　　　坂本所说的垂直合作模式是指在DRAM与微处理器、闪存等相结合的解决方案产品方面进行合作。例如，该公司于2010年7月决定接受美国飞索半导体（Spansion）的NAND闪存技术授权，将于2011年1～3月开始量产相关存储器。除此之外，尔必达还在探索与逻辑LSI厂商的合作。合作的基础技术是使用贯通电极连接种类各异的多个芯片的硅通孔（TSV）。尔必达一直致力于TSV的开发，“2011年2～3月将开始供应（采用TSV的）产品”（坂本）。

　　　　尔必达之所以与重视TSV或以该技术为核心的其他公司的合作，是因为DRAM正在接近微细化的极限。尔必达的看法是：“在使用EUV曝光的技术时代，是否还能维持通过微细化降低DRAM成本还存在相当大的疑问。另一方面，相变存储器（PRAM）和可变电阻式存储器（ReRAM）等新型存储器上市还为时尚早。因此，作为连接两者的技术，目前还要依靠TSV”。

　　　　除以上举措外，尔必达同时还在为追求DRAM市场上的规模与其他同行业公司合作。在DRAM生产方面，该公司此前与台湾的力晶半导体（Powerchip Semiconductor，PSC）和茂德科技（ProMOS Technologies）以及台湾华邦电子（Winbond Electronics）建立起了合作关系。尔必达似乎正在与这些台湾DRAM厂商就包括经营合并在内的深入合作进行探讨。“如果台湾团队能够统一协作，我们就能把1Gbit产品的生产能力提高到现在的2.5倍。从稳定DRAM价格的角度来看，我们希望与他们一同形成对抗韩国三星电子的势力”（坂本）。