氧化物TFT的新候补多晶IGO备受关注

编辑：xiaqiaohui 2011-12-14 10:01:16 浏览：1932 来源：

　　　在显示器国际会议“18th International Display Workshops（IDW '11）”（2011年12月7～9日，名古屋国际会场）的有机EL和电子纸会议上，有很多产品的发布令笔者非常感兴趣，下面逐一报道。

　　柯尼卡美能达发布全磷光有机EL照明模块

　　在有机EL会议上，柯尼卡美能达发布了全磷光有机EL照明模块（论文序号LIT1/OLED1-1）。这种模块已经投产，实现了45lm/W的高效率。发光区域的面积为55cm2，面板模块的厚度仅1.9mm，发光亮度为1000cd/m2。驱动电压只有3.6V，消耗电流为71.5mA。色度为(x,y)＝(0.45, 0.41)，色温度为2800K。由于是全磷光，因此无需采用串联构造，而采用简单构造即可，因此还有利于降低成本。备受关注的寿命方面，在劣化中基本无色度变化，确保了耐用性。对视角的依赖性也很小，从任何角度看都显示同种颜色。

　　图1 柯尼卡美能达的全磷光有机EL照明模块图2 柯尼卡美能达的全磷光有机EL照明模块的背面

　　虽然该产品还需要将成本降低一位数，否则很难全面普及，不过作为商品所要求的最低性能已经能够满足。不过，该产品不是在单品中使用，而要应用于室内装饰等，因此需要更加容易组合的形状和尺寸。比如，用于家具的照明大部分为圆形。圆形照明在设计上容易实现多种组合，而方形照明只适合日式房间专用照明等。另外，稍大一些的产品可设计成非常显眼的灯具和家具。希望厂家能够结合插座标准化，研究用户方的需求，以加快产品的普及。

　　索尼发布采用多晶氧化物TFT的有机EL面板

　　在“AMD1”与“OLED3”的合并会议“AMOLED”上，索尼发布了采用多晶氧化物TFT的有源矩阵驱动有机EL面板（论文序号AMD1/OLED3-1）。其沟道层采用多晶IGO膜取代了原来的非晶IGZO膜。迁移率高达22～24cm2/Vs，遇到DHF溶液也基本不会被蚀刻，因此适合反向通道蚀刻型TFT。

　　SRU（short range uniformity）方面，16个TEG检测结果表明，Vth的平均值为0.23V，σ＝0.02V，偏差很小。LRU（long range uniformity）方面，在300mm×350mm的玻璃底板上，迁移率平均值为23.8cm2/Vs，σ＝0.86cm2/Vs，整个基板的偏差也很小。可靠性方面，在Vg＝Vd＝15V的PBTS（positive bias temperature stress）试验中，在10000秒内有0.25V左右的Vth漂移。

　　索尼采用这种多晶IGO TFT试制出了有源矩阵驱动有机EL面板。对角9.9英寸，像素为960×540（qHD），像素回路为2T（双晶体管）构造。估计跟该公司已投产的11英寸有机EL电视“XEL-1”一样，通过2T-2C（2晶体管-2电容器）回路补偿了Vth和迁移率。从照片上看，均一性良好。

　　由于IGO不能制造多结晶的靶材，所以必须在非晶状态下成膜后通过基于热退火的固相生长实现多晶化。长年从事多晶硅TFT业务的人员，可能会担心“多晶化会不会需要巨大的热量”，但由于“可以在非晶硅TFT的最高工艺温度以下进行短时间处理”，所以对产品的批量生产似乎没有什么影响。从均一性数据来看，结晶成长所产生的颗粒也基本没有影响，因此完全有可能成为反向通道蚀刻型氧化物TFT的真正候补。