摘要

　　本研究实验部分之结构是以类似超薄分离量子井掺杂结构使元件能有最低的起动电压、最好的发光效率、以及最高的电激发光强度，再利用模拟软件(ETFOS)以调变发光层中Alq3其Gause分布之半高宽宽度的方式，并将模拟所得到的结果与实验所得之发光光谱相比对，藉此了解实验中改变不同掺杂浓度所对应其半高宽宽度改变的相对关系。结果发现当实验里掺杂浓度越浓时，模拟中所需调变之Gause分布半高宽需越小，才可使模拟中光谱图的Alq3之波峰降低，由于Alq3发光光谱波形是在一固定范围里，所以如果以Gause分布来看，其半高宽越小则代表光强度越低，此可验证当红光掺杂物太浓时会有较纯的红光，但亮度却会比低掺杂浓度低时来的弱；反之，半高宽越大则表示，红光掺杂物掺杂太少时会有较强之光强度，但元件于高亮度下则会显示橙色而不是纯的红色光。综合以上，可把模拟应用于实验上，利用模拟验证其相关理论，以方便往后制作理想之有机发光二极管。

　　一、前言

　　Organic light emitting diodes (OLEDs)自1987年研制成功后，吸引相当多的研究人员投入此领域，其中高亮度与高纯度红色有机发光二极管对于有机全彩显示器发展是有一定程度上的影响的。掺杂便是利用以得到此类高发光特性OLED的常用技术之一，但掺杂系统因为从主发光体能量转移到客发光体是不完全的，且若掺杂浓度过高会发生浓度淬息效应，所以往往很难作出兼顾纯的色饱和度与高发光特性之理想OLEDs。本研究实验部分之结构是以类似超薄分离量子井掺杂结构使元件能有最低的起动电压、最好的发光效率、以及最高的电激发光强度[2]，再利用模拟软件(ETFOS)以调变发光层中Alq3其Gause分布之半高宽宽度的方式，并将模拟所得到的结果与实验所得之发光光谱相比对，藉此了解实验中改变不同掺杂浓度所对应其半高宽宽度改变的相对关系。结果发现当实验里掺杂浓度越浓时，模拟中所需调变之Gause分布半高宽需越小，才可使模拟中光谱图的Alq3之波峰降低，由于Alq3发光光谱波形是在一固定范围里，所以如果以Gause分布来看，其半高宽越小则代表光强度越低，此可验证当红光掺杂物太浓时会有较纯的红光，但亮度却会比低掺杂浓度低时来的弱；反之，半高宽越大则表示，红光掺杂物掺杂太少时会有较强之光强度，但元件于高亮度下则会显示橙色而不是纯的红色光。综合以上，相信可把模拟应用于实验上，甚至亦可模拟验证其它相关理论，以方便往后制作理想之有机发光二极管。

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