1、引言

　　OLED(organic electrical emitting device，有机电致发光器件)有源驱动阵列在每个单元像素内都集成有两个或多个薄膜晶体管[1 ，2] ，以驱动发光点阵，从而能在整个帧周期内为像素提供持续的工作信号。有源驱动克服了无源驱动方式中使用占空比小的脉冲信号驱动带来的问题[3]，有利于实现OLED大面积、高分辨率显示。在OLED的a-Si TFT有源驱动电路的设计过程中，我们采用了在每个单元像素中包含有2个TFT(thin film transistor薄膜晶体管)的驱动电路形式[4～6]，如图1所示。由于外界信号的异常变化，扫描线(scanning line)、数据线(data line)和电源线上(source line)时常会带来突发的高电压，同时在TFT阵列和OLED制作过程中，因为一些操作中的摩擦，也会带来高达几万伏的静电压，这些偶发的异常电压信号都会直接作用在T1 管或T2管的栅极上，击穿栅绝缘介质，导致器件彻底损坏。所以在T1、T2栅极外侧必须加一些保护电路，同时为了防止由电源线上来的高压信号击穿OLED，在电源线上加保护电路也很有必要。常见的栅保护电路有：二极管栅保护电路、源漏击穿保护、场致反型保护、栅调制击穿保护等[7]。由于源漏击穿是可恢复的，并考虑到外围保护电路与驱动阵列工艺上一致性，我们选择了源漏击穿保护的形式，利用a-Si (amorphous silicon 非晶硅)TFT的击穿特性，设计保护电路。

　　2、模拟与分析

　　2.1 TFT源漏击穿模型的建立

　　TFT在工作状态时，当TFT源漏电压Vds到达一定值后，在继续升高电压的过程中，漏极电流Ids开始急剧增大，此时源漏发生了击穿。而且随着栅源电压Vgs的增加，出现这种现象时的Vds值逐次升高。

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