Si基GaN功率器件的发展态势分析
摘要：2013年9月5日，首届“第三代半导体材料及应用发展国际研讨会”在深圳成功召开，来自中科院半导体研究所、南京大学、北京大学、科锐公司、西安电子科技大学等研究机构以及企业的近百名人士参加了此次会议。 苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千先生在会上
阅读：10892014年06月25日 14:52:59
摘要：2013年9月5日，首届“第三代半导体材料及应用发展国际研讨会”在深圳成功召开，来自中科院半导体研究所、南京大学、北京大学、科锐公司、西安电子科技大学等研究机构以及企业的近百名人士参加了此次会议。 苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千先生在会上
阅读：10892014年06月25日 14:52:59摘要：传统的氮化镓（GaN） LED元件通常以蓝宝石或碳化硅（SiC）为衬底，因为这两种材料与GaN的晶格匹配度较好，衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆（6"或更大）来发展GaN，因为硅衬底可显著降低成本，而且可以在自动化IC生产线上制造
阅读：10312014年06月25日 14:52:59摘要：目前在 LED制程中，蓝宝石基板虽然受到来自Si与GaN基板的挑战，但是考虑到成本与良率，蓝宝石在近两年内仍然具有优势，可以预见接下来蓝宝石基板的发展方向是大尺寸与图案化（PSS）。由于蓝宝石硬度仅次于钻石，因此对它进行减薄与表面平坦化加工非常困难，
阅读：9502014年06月25日 14:52:59摘要：技术发展和工艺改进，使 LED成本大幅度下降，推动了LED应用的全面发展。为进一步提升LED节能效果，全球相关单位均投入极大的研发力量，对LED性能、可靠性进行深入的研究开发，特别在LED衬底、外延、芯片的核心技术研究方面，已取得突破性成果。对LED发展提出
阅读：9902014年06月25日 14:52:59摘要：上游芯片技术一直是国内 LED的瓶颈，核心技术大部分都掌握在国外，下面介绍一下芯片制程的工艺： 1. LED芯片检验 镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑lockhill芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求电极图案是否完整 2.LED扩片 由于LED芯片在划片后依然排
阅读：8952014年06月25日 14:53:00摘要：LED 具有体积小，耗电量低、长寿命环保等优点，在实际生产研发过程中，需要通过寿命试验对 LED芯片 的可靠性水平进行*价，并通过质量反馈来提高LED芯片的可靠性水平，以保证LED芯片质量。 1、引言 作为电子元器件， 发光二极管 (LightEmittingDiode-led)已出
阅读：9522014年06月25日 14:53:00摘要：日前，在广州举行的2013年 LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓 大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底大功率LED研发及产业化和大尺寸硅衬底LED技术的最新进展
阅读：11382014年06月25日 14:53:00摘要：1.正向电压下降，暗光 A:一种是电极与发光资料为欧姆触摸，但触摸电阻大，首要由资料衬底低浓度或电极残缺所形成的。 B:一种是电极与资料为非欧姆触摸，首要发生在芯片电极制备进程中蒸腾第一层电极时的挤压印或夹印，散布方位。 别的封装进程中也能够形成正
阅读：13532014年06月25日 14:53:00摘要：1. LED芯片检验 镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑lockhill芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求电极图案是否完整 2. LED扩片 由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小(约0.1mm)，不利于后工序的操作。采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，使LED芯片的
阅读：12632014年06月25日 14:53:01
关注我们
公众号：china_tp
微信名称：亚威资讯
显示行业顶级新媒体
扫一扫即可关注我们
