即使三星电子最近被採用Exynos系列处理器之行动装置产品疑似存在着安全漏洞问题搞的乌烟瘴气，但在迈向14奈米製程技术之路一样没有任何懈怠。继格罗方德半导体以及英特尔后，三星也向外界宣布採用14奈米製程技术之行动晶片测试成功，该行动晶片不管是针对动态功耗以及漏电率方面皆有明显改善。

　　三星提到目前14奈米FinFET比起32/28奈米的高介电常数金属闸极（HKGD）製程，已经大幅改善先前SoC晶片之漏电率以及动态功耗的问题。也代表三星极有可能会在往后推出的行动处理器中採用ARM big.LITTLE处理技术和14奈米製程技术，相信可以预见效能更强大的行动处理器将会缩短问世时间。而三星也协同其他伙伴（Synopsy、ARM、Cadence、Mentor）进行多种晶片测试之Tape Out。

　　14nm Cortex-A7处理器的顺利Tape Out也代表三星在14奈米製程技术的重大突破。三星同时发佈製程技术之产品开发套件，让其他客户能够针对14奈米FinFET测试晶片进行模型设计以及其他产品设计之用。除此之外三星更与ARM共同签订有关14奈米製程技术与IP库的合作协议，并成功研发了14奈米技术的测试处理器晶片。更与其他的合作伙伴一起完成了ARM Cortex-A7处理器、ARM big.LITTLE设置以及SRAM晶片的研发测试工作。

　　还记得三星于今年年中才斥资19亿美元来建立一条新的逻辑晶片生产线，新生产线将採用300mm晶圆、20/14奈米製程技术，加大逻辑晶片的产量，以满足智慧型手机和平板电脑行动处理器日渐增长的大量需求。以及表示会在近期之内将会开发出内建big.Little省电配置的Exynos处理器，虽然还必须等到2014年才能达到可用的水准，但相信未来行动处理器的效能很快就能跟上PC处理器的脚步。