很少人会想到NAND闪存已经快要消失在地平线上、即将被某种新技术取代，笔者最近参加了一场IBM/Texas Memory Systems关于闪存储存系统的电话会议，听到不少储存系统专家试图把对话导引到IBM在下一代存储器技术的规划上，于是很惊讶地发现这些人居然都认为NAND闪存很快就会被新存储器技术取代。

　　笔者在去年7月的HotChips大会上曾经做过一场报告，指出闪存在未来十年将会是主流存储器技术；而现在该产业才刚进入SanDisk所说的“1Ynm”，接着还将迈入“1Znm”。SanDisk认为，在“1Znm”之后，平面存储器将式微，我们将进入3D存储器的时代；其他NAND闪存制造大厂也有类似的预测。

　　不过有鉴于这个产业的运作模式，在“1Znm”之后，若出现另一条延续平面存储器生命的新途径也不足为奇；因此如果以每个存储器世代两年生命周期来计算，平面闪存应该还能存活4~6年。在那之后，我们则将会拥有3D NAND闪存技术。

　　虽然三星(Samsung)在去年8月宣布开始量产3D结构的V-NAND闪存，但该产品的稀有性意味着它还没准备好取代平面存储器的地位；笔者猜测，3D存储器技术到2017年以前应该都还不会真正的大量生产。

　　今日大多数厂商都预期3D存储器在式微之前也会经历三代，因此同样以两年一个时代来计算，NAND闪存技术应该在4~6年之后，还会有另外一个6年的生命；所以在存储器产业真的需要新技术来驱动产品价格下降那时，应该已经是10~12年之后了。

　　我的意思并不是其他存储器技术有什么不对，只是目前尚未有足够的力量让它们的价格能比NAND闪存更低廉；而且在NAND闪存到达制程微缩极限之前，也没有其他的动能可以改变现在的状况。无论如何，要达到最低的成本、总是要有最大的产量，NAND闪存与DRAM目前就是比其他任何一种存储器技术更便宜的方案。