意法半导体(STNicroelectronics；ST)新型 HB 系列绝缘闸极双载子性电晶体(IGBT)拥有比竞争对手的高频产品低40%的关机能源(turn-off energy)，同时可降低至30%导通损耗。

　　HB 系列利用意法半导体的沟槽型绝缘闸极双载子性电晶体制程，集极切断无曳尾(collector-current turn-off tail-less)电流极低，饱和电压(Vce(sat))为1.6V (典型值)，因而最大幅度降低了开关和导通时的能耗。此外，这项技术具有良好的可控性，参数分布窗口十分紧密，因而可提高设计再用性，简化系统设计。

　　意法半导体的HB系列IGBT可提升目标应用的能效，例如太阳能转换器、电磁炉、电焊机(welders)、不断电系统(UPS)、功率因子校正器(PFC)和高频功率转换器。650V的宽额定工作电压确保环境温度在-40℃时崩溃电压(breakdown voltage)至少600V，使其特别适用于寒冷地区的太阳能转换器。 175℃的最大工作结温和宽安全工作区(SOA)提高了产品的可靠性，让目标应用使用更小的散热器。

　　可选参数包括30A到80A(在100℃时)的最大额定电流、多种主流的功率封装和为谐振(resonant)或硬式开关电路(hard-switching circuits)最佳化的内建二极体的封装。