为促进武汉市半导体产业创新发展，加快“光芯屏端网”产业集群建设，提升产业链现代化水平，经武汉市人民政府同意，特提出如下意见：

　　一、总体要求

　　（一）指导思想。以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导，贯彻落实全市国民经济和社会发展“十四五”规划和2035年远景目标、武汉工业高质量发展“十四五”规划，加快补短板、锻长板、强生态，打造“创新引领、要素协同、链条完整、竞争力强”的现代半导体产业体系。

　　（二）总体目标。到2025年，全市半导体产业能级明显提升，产业结构更加合理，设备、材料、封测配套水平对关键领域形成有力支撑。

　　1.产业规模。到2025年，芯片产业产值超过1200亿元，半导体显示产业产值超过1000亿元，第三代半导体产业初具规模。

　　2.技术水平。到2025年，发明专利年均增速超过15%，创建3—5个国家级创新平台，牵头制定2—4项行业标准，突破一批关键核心技术，实现一批关键技术转化和应用。

　　3.市场主体。到2025年，培育形成5家销售收入超过100亿元的芯片企业、5家销售收入超过100亿元的半导体显示企业、5家销售收入超过10亿元的半导体设备与材料企业，半导体企业总数超过500家，上市企业新增3—5家。

　　二、重点任务

　　（一）瞄准薄弱环节补链

　　1.增强集成电路设备、材料和封测配套能力。在设备环节，聚焦三维集成特色工艺，研发刻蚀、沉积和封装设备，引入化学机械研磨（CMP）机、离子注入机等国产设备生产项目；在材料环节，围绕先进存储器工艺，开发抛光垫、光刻胶、电子化学品和键合材料，布局化学气相沉积材料、溅射靶材、掩膜版、大硅片等材料项目；在封测环节，引进和培育国内外封装测试领军企业，突破先进存储器封装工艺，推进多芯片模块、芯片级封装、系统级封装等先进封装技术产业化。

　　2.加快半导体显示设备和材料国产化替代。在设备环节，聚焦有机发光二极管（OLED）中小尺寸面板工艺，研发光学检测、模组自动化设备，引入显示面板喷印、刻蚀机、薄膜制备等国产设备生产项目；在材料环节，支持液晶玻璃基板生产项目建设，加快OLED发光材料、柔性基板材料的研发及产业化，引入滤光片、偏光片、靶材等国产材料生产项目。

　　3.布局第三代半导体衬底及外延制备。在设备环节，支持物理气相传输法（PVT）设备、金属有机化合物气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）等工艺设备的研发及产业化；在材料环节，引进碳化硅（SiC）衬底、SiC外延、氮化镓（GaN）衬底生产线，布局GaN外延晶片产线。

　　（二）立足现有基础强链

　　1.打造存储、光电芯片产业高地。在存储芯片领域，重点引入控制器芯片和模组开发等产业链配套企业，研发超高层数三维闪存芯片、40纳米以下代码型闪存、动态随机存取存储器、三维相变存储器、存算一体芯片等先进存储芯片；在光电芯片领域，支持25G以上光收发芯片、50G以上相干光通信芯片的研发及产业化，布局硅基光通信芯片、高端光传感芯片、大功率激光器芯片等高端光电芯片制造项目。

　　2.建设国内重要半导体显示产业基地。在显示面板领域，引进大尺寸OLED、量子点显示、亚毫米发光二极管（MiniLED）显示等面板生产项目，布局微米级发光二极管（MicroLED）显示、激光显示、8K超高清、3D显示等未来显示技术研发及产业化；在显示模组领域，支持全面屏、柔性屏模组的研发及产业化，加快开发高端面板屏下传感元件及模组，引入光学镜头、背光模组等生产项目，逐步提升对中高端面板的产业配套能力。

　　（三）聚焦热点领域延链

　　1.通信射频芯片。支持5G绝缘衬底上硅（SOI）架构射频芯片、射频电子设计自动化（EDA）软件研发；面向5G基站、核心网、接入网等基础设施市场，重点发展基带芯片、通信电芯片、滤波器等关键芯片。

　　2.通用逻辑芯片。加快图形处理器（GPU）、显控芯片的开发及应用，提升知识产权（IP）核对中央处理器（CPU）、人工智能芯片等逻辑芯片的设计支撑能力，布局信创领域处理器项目。

　　3.北斗导航芯片。支持研发北斗三号系统的新一代导航芯片、28纳米高精度消费类北斗导航定位芯片、新一代多模多频高精度基带系统级芯片；面向交通、物流、农业、城市管理等领域开发通导一体化北斗芯片，拓展北斗应用。

　　4.车规级芯片。推进数字座舱芯片、驾驶辅助芯片、功率器件、汽车传感器等车规级芯片研发及产业化项目；面向新能源汽车，布局动力系统、主被动安全系统、娱乐信息系统、车内网络、照明系统车规级芯片产业化项目。

　　（四）围绕前沿领域建链

　　1.第三代半导体器件。围绕电力电子器件、射频器件、光电器件等3个应用方向，引入碳化硅（SiC）功率晶体管、氮化镓（GaN）充电模块、GaN功率放大器、高光效LED、MiniLED等器件项目；支持中高压SiC功率模块、GaN 5G射频开关、紫外LED的研发及产业化，突破SiC绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、毫米波射频器件、MicroLED关键技术。

　　2.量子芯片。支持单光子源、激光器、探测器等光量子芯片的研发及产业化；布局量子传感器、量子精密测量器件等生产项目；开展量子通信、量子成像、量子导航、量子雷达、量子计算芯片共性前沿技术攻关。

　　三、产业布局

　　（一）打造相对完整的集成电路产业链聚集区。重点发展三维集成工艺、先进逻辑工艺，加快推进先进存储器等重点制造项目建设；重点发展中高端芯片设计、IP核设计、EDA软件等产业，加快推进精简指令集（RISC—V）产学研基地建设；培育装备、材料、零部件、封测等产业，加快推进硅基SOI半导体材料、光刻材料及电子溶剂、筑芯产业园等配套项目建设。

　　（二）构建差异化半导体显示产业核心区。重点发展中小尺寸显示面板、大尺寸显示面板等产业，加快半导体显示产业链向上下游延伸发展，培育核心设备、关键材料、模组、元器件、显示终端等产业，推进华星t4、华星t5、天马G6二期、京东方10.5代线扩产、创维MiniLED显示产业园等项目建设。

　　（三）创建半导体特色产业区。重点发展光电芯片、第三代化合物半导体等产业，推进红外传感芯片制造、微机电（MEMS）与传感工业技术研究院等项目建设；培育车规级芯片、工控芯片等产业，推进国家新能源和智能网联汽车基地建设；培育显示芯片、信息安全芯片等产业，推进国家网络安全人才与创新基地建设；培育人工智能芯片、通用逻辑芯片等产业，推进国家新一代人工智能创新发展试验区建设。

　　来源：武汉人民政府官网