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武汉市政府发布“关于促进半导体产业创新发展的意见”,加快“光芯屏端网”产业集群建设

编辑:chinafpt 2022-01-21 15:46:16 浏览:333  来源:

  为促进武汉市半导体产业创新发展,加快“光芯屏端网”产业集群建设,提升产业链现代化水平,经武汉市人民政府同意,特提出如下意见:

  一、总体要求

  (一)指导思想。以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导,贯彻落实全市国民经济和社会发展“十四五”规划和2035年远景目标、武汉工业高质量发展“十四五”规划,加快补短板、锻长板、强生态,打造“创新引领、要素协同、链条完整、竞争力强”的现代半导体产业体系。

  (二)总体目标。到2025年,全市半导体产业能级明显提升,产业结构更加合理,设备、材料、封测配套水平对关键领域形成有力支撑。

  1.产业规模。到2025年,芯片产业产值超过1200亿元,半导体显示产业产值超过1000亿元,第三代半导体产业初具规模。

  2.技术水平。到2025年,发明专利年均增速超过15%,创建3—5个国家级创新平台,牵头制定2—4项行业标准,突破一批关键核心技术,实现一批关键技术转化和应用。

  3.市场主体。到2025年,培育形成5家销售收入超过100亿元的芯片企业、5家销售收入超过100亿元的半导体显示企业、5家销售收入超过10亿元的半导体设备与材料企业,半导体企业总数超过500家,上市企业新增3—5家。

  二、重点任务

  (一)瞄准薄弱环节补链

  1.增强集成电路设备、材料和封测配套能力。在设备环节,聚焦三维集成特色工艺,研发刻蚀、沉积和封装设备,引入化学机械研磨(CMP)机、离子注入机等国产设备生产项目;在材料环节,围绕先进存储器工艺,开发抛光垫、光刻胶、电子化学品和键合材料,布局化学气相沉积材料、溅射靶材、掩膜版、大硅片等材料项目;在封测环节,引进和培育国内外封装测试领军企业,突破先进存储器封装工艺,推进多芯片模块、芯片级封装、系统级封装等先进封装技术产业化。

  2.加快半导体显示设备和材料国产化替代。在设备环节,聚焦有机发光二极管(OLED)中小尺寸面板工艺,研发光学检测、模组自动化设备,引入显示面板喷印、刻蚀机、薄膜制备等国产设备生产项目;在材料环节,支持液晶玻璃基板生产项目建设,加快OLED发光材料、柔性基板材料的研发及产业化,引入滤光片、偏光片、靶材等国产材料生产项目。

  3.布局第三代半导体衬底及外延制备。在设备环节,支持物理气相传输法(PVT)设备、金属有机化合物气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)等工艺设备的研发及产业化;在材料环节,引进碳化硅(SiC)衬底、SiC外延、氮化镓(GaN)衬底生产线,布局GaN外延晶片产线。

  (二)立足现有基础强链

  1.打造存储、光电芯片产业高地。在存储芯片领域,重点引入控制器芯片和模组开发等产业链配套企业,研发超高层数三维闪存芯片、40纳米以下代码型闪存、动态随机存取存储器、三维相变存储器、存算一体芯片等先进存储芯片;在光电芯片领域,支持25G以上光收发芯片、50G以上相干光通信芯片的研发及产业化,布局硅基光通信芯片、高端光传感芯片、大功率激光器芯片等高端光电芯片制造项目。

  2.建设国内重要半导体显示产业基地。在显示面板领域,引进大尺寸OLED、量子点显示、亚毫米发光二极管(MiniLED)显示等面板生产项目,布局微米级发光二极管(MicroLED)显示、激光显示、8K超高清、3D显示等未来显示技术研发及产业化;在显示模组领域,支持全面屏、柔性屏模组的研发及产业化,加快开发高端面板屏下传感元件及模组,引入光学镜头、背光模组等生产项目,逐步提升对中高端面板的产业配套能力。

  (三)聚焦热点领域延链

  1.通信射频芯片。支持5G绝缘衬底上硅(SOI)架构射频芯片、射频电子设计自动化(EDA)软件研发;面向5G基站、核心网、接入网等基础设施市场,重点发展基带芯片、通信电芯片、滤波器等关键芯片。

  2.通用逻辑芯片。加快图形处理器(GPU)、显控芯片的开发及应用,提升知识产权(IP)核对中央处理器(CPU)、人工智能芯片等逻辑芯片的设计支撑能力,布局信创领域处理器项目。

  3.北斗导航芯片。支持研发北斗三号系统的新一代导航芯片、28纳米高精度消费类北斗导航定位芯片、新一代多模多频高精度基带系统级芯片;面向交通、物流、农业、城市管理等领域开发通导一体化北斗芯片,拓展北斗应用。

  4.车规级芯片。推进数字座舱芯片、驾驶辅助芯片、功率器件、汽车传感器等车规级芯片研发及产业化项目;面向新能源汽车,布局动力系统、主被动安全系统、娱乐信息系统、车内网络、照明系统车规级芯片产业化项目。

  (四)围绕前沿领域建链

  1.第三代半导体器件。围绕电力电子器件、射频器件、光电器件等3个应用方向,引入碳化硅(SiC)功率晶体管、氮化镓(GaN)充电模块、GaN功率放大器、高光效LED、MiniLED等器件项目;支持中高压SiC功率模块、GaN 5G射频开关、紫外LED的研发及产业化,突破SiC绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、毫米波射频器件、MicroLED关键技术。

  2.量子芯片。支持单光子源、激光器、探测器等光量子芯片的研发及产业化;布局量子传感器、量子精密测量器件等生产项目;开展量子通信、量子成像、量子导航、量子雷达、量子计算芯片共性前沿技术攻关。

  三、产业布局

  (一)打造相对完整的集成电路产业链聚集区。重点发展三维集成工艺、先进逻辑工艺,加快推进先进存储器等重点制造项目建设;重点发展中高端芯片设计、IP核设计、EDA软件等产业,加快推进精简指令集(RISC—V)产学研基地建设;培育装备、材料、零部件、封测等产业,加快推进硅基SOI半导体材料、光刻材料及电子溶剂、筑芯产业园等配套项目建设。

  (二)构建差异化半导体显示产业核心区。重点发展中小尺寸显示面板、大尺寸显示面板等产业,加快半导体显示产业链向上下游延伸发展,培育核心设备、关键材料、模组、元器件、显示终端等产业,推进华星t4、华星t5、天马G6二期、京东方10.5代线扩产、创维MiniLED显示产业园等项目建设。

  (三)创建半导体特色产业区。重点发展光电芯片、第三代化合物半导体等产业,推进红外传感芯片制造、微机电(MEMS)与传感工业技术研究院等项目建设;培育车规级芯片、工控芯片等产业,推进国家新能源和智能网联汽车基地建设;培育显示芯片、信息安全芯片等产业,推进国家网络安全人才与创新基地建设;培育人工智能芯片、通用逻辑芯片等产业,推进国家新一代人工智能创新发展试验区建设。

  来源:武汉人民政府官网

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