用于液晶面板、有机EL面板以及电子纸等显示面板驱动用途的氧化物半导体TFT的研发越来越活跃。其中，作为驱动有机EL面板的有力候补，氧化物半导体TFT更是备受期待。与原来采用非晶硅TFT相比，氧化物半导体TFT的载流子迁移率高达10cm²/Vs，是前者的10倍左右，这样就便于提高有机EL面板的亮度。另外，氧化物TFT的特性不均较小，而且电流的时间变化也较少。因此，可轻松抑制有机EL面板的显示不均现象，适于大面积化用途。另外，由于氧化物TFT可通过溅射法制造，因此导入时无需大幅改变现有的液晶面板生产线。 

　　鉴于上述优点，韩国LG显示器（LG Display）、韩国三星电子（Samsung Electronics）以及台湾友达光电（AU Optronics）等韩国和台湾的大型面板厂商纷纷加大氧化物TFT的开发力度，日本厂商则是最近才开始大力开发。

　　夏普在2009年12月举行的显示器技术国际学会“16th InternationalDisplay Workshops（IDW ’09）”上，公开了采用氧化物TFT的2.6英寸QVGA（320×240像素）液晶面板。氧化物半导体采用了IGZO（In-Ga-Zn-O）。

　　凸版印刷的TFT采用了可进行涂布的氧化物半导体。由于采用了涂布工艺，有望降低制造成本。该公司试制出了将制造工序中的最高温度降至270℃的氧化物TFT。与采用原来涂布工艺制造的氧化物TFT相比，其最高温度“要低100℃以上”（凸版印刷）。凸版印刷的试制品是在玻璃底板上制作的，通过旋转覆盖（Spin Coat）对氧化物半导体进行涂布成膜。栅极绝缘膜以及源极等各个电极都可采用原来的制造工序。

　　虽然比不上采用溅射法制造的产品，但凸版印刷的试制品实现了与普通非晶硅TFT同等程度的特性，迁移率超过0.5cm²/Vs，开关比超过105。特点是将电子纸和液晶面板的驱动纳入考虑范围。凸版印刷已经利用该试制品成功地驱动了美国E Ink生产的2英寸电子纸。