旺宏（2337）昨（30）日法说会公布首季税后净损12.85亿元，亏损幅度较前一季与去年同期均收敛，单季每股净损0.36元。

　　旺宏董事长吴敏求表示，36纳米制程产能恐供不应求，规划增加相关资本支出。

　　2012年首季开始陷入亏损，吴敏求期许，旺宏在未来18个月内转亏为盈，预计在明年第4季开始赚钱。

　　旺宏首季唯读式存储器（ROM）营收占比降到19%，45纳米4G／8G Hybrid memory产品首季开始出货。编码型快闪存储器（NOR Flash）首季营收占比为68%，75纳米制程产品占NOR Flash营收约三成，55纳米512Mb工程样品已开始送样认证，预计下半年可开始出货。

　　旺宏也切入低容量NAND Flash产品开发。吴敏求说，供应车用电子的75纳米1Gb NAND产品已于首季送样，4月也首度接到通讯应用36纳米4Gb SLC NAND的订单。旺宏NAND Flash业绩目前基期仍低，因此在过去几季都呈现倍数成长，吴敏求预期下半年成长更为显著。

　　吴敏求也提到，8Gb以下SLC NAND的市场规模约20亿美元（约新台币600亿元），未来两、三年，低容量SLC NAND Flash与高容量NOR Flash产品将会是旺宏的两大成长动能。

　　旺宏原先估计今年资本支出约25亿至26亿元，因接获新订单，担心36纳米制程产能不足，正规划扩产，资本支出预期将增加。

　　吴敏求估计，旺宏今年上、下半年的营收占比，约是3：7或4：6。旺宏上半年处于淡季，首季合并营收为47.9亿元，季减18%，与去年同期相较则增加9%。因产品销售组合较佳，毛利率提升到18%。到3月底为止，旺宏每股净值为7.87元。