半导体照明网讯 东京大学生产技术研究所教授藤冈洋的研究室2014年6月23日宣布，开发出了在玻璃基板上用溅射法形成GaN基LED的技术。相关论文已发表在学术杂志《ScientificReports》上。除了与现有LED相比可大幅降低制造成本之外，新技术还有可能实现用无机LED制作有机EL那样的大面积发光元件。

　　藤冈教授的研究室在约2英寸（直径约5cm）的玻璃基板上转印了石墨烯多层膜，然后在石墨烯多层膜上用脉冲溅射法分别形成了AlN、n型GaN、由GaN与InGaN的多层构造构成的量子阱、p型GaN晶体。

　　藤冈表示，很早以前就开始开发利用溅射法制作LED的技术，“还没有发布过这些技术的详细内容，只是在累积经验”。

　　另外，藤冈研究室还在2008年开发出了在石墨片材上用“脉冲激励沉积法（PXD）”形成GaN晶体的技术。

　　此次在可称得上是最薄石墨片材的石墨烯片材上用溅射法形成了GaN晶体，并确认可实际发光。据介绍，分别制作了以红色（R）、绿色（G）、蓝色（B）三原色发光的LED。

　　目前还无法检测白色发光的发光效率，以及单色状态下的外部量子效率，正在对极低温条件下的内部量子效率进行评估。藤冈教授表示，“与蓝宝石基板上制作的LED相比，内部量子效率要低好几成”。今后的课题是如何将内部量子效率提高至与现有LED相当的水平。