Micro LED技术在当前面临着相当多的挑战，集邦咨询LED研究中心（LEDinside）最新报告3Q17 Micro LED次世代显示技术- Micro LED转移技术与检测维修技术分析报告表示，Micro LED制程中，巨量转移是一关键性制程，如何快速且精准的将Micro LED转移至目标，UPH （Unit Per Hour）及良率的提升将是首要努力的课题方向之一。

　　Micro LED转移技术分析

　　LEDinside研究副理杨富宝表示,Micro LED制程共计四大关键技术，转移技术是目前最困难的关键制程之一，其他包括电路驱动设计、色彩转换方式、检测设备及方法、晶圆波长的均匀度控制等，也都是尚待突破的技术瓶颈。

　　为什么Micro LED制造成本会居高不下？原因在于制程中还有很多转移技术相关瓶颈仍待突破。大致区分为以下七大要素：

1. 生产设备精密度的要求

2. 制程良率的提升、产出速度（UPH：Unit Per Hour）的效率提升

3. 制程能力的控制

4. 生产方式之最佳化确定

5.检测设备及仪器的精确稳定性

6. 坏点维修方式

7. 制程加工成本的降低

由于Micro LED涉及的产业横跨LED、半导体、面板上下游供应链，包括芯片、机台、材料、检测设备等都与过去的规格相异，提高了技术的门槛，而异业间的沟通整合也增加了研发时程。

(图：LEDinside整理)

　　LEDinside以工业制程六个标准差做为Micro LED量产可行性评估依据。转移制程良率须达到四个标准差等级，才有机会产品商品化但加工及维修成本仍然很高，若要达到成熟的产品及具有竞争性的加工成本，其转移良率至少要达到五个标准差以上，才能真正成为成熟的商品化产品。

　　Micro LED量产可行性评估

　　一般传统的LED例如3030的封装体其光源尺寸3,000μm，可借由SMT设备即可达到转移之作用，当光源尺寸在100μm时也可借由固晶机（Die Bonder）设备达到芯片转移，当光源尺寸不断的缩小至10μm时，现状的转移（Pick & Place）设备其精密度及准确度将面临严重考验。

　　Micro LED制程的设备的精密度需小于±1.5μm才能精确的转移至目标背板，目前现况转移设备（Pick & Place）的精密度是±34μm （Multi-chip per Transfer），覆晶固晶机（Flip Chip Bonder）的精密度是±1.5μm （每次移转为单一芯片） ，皆无法达到Micro LED巨量转移的精密度规格需求。

　　芯片级銲接 （Chip Bonding）及外延级焊接 （Wafer Bonding）由于产能过低及工时成本过高，在巨量转移上将无法应用上，但Wafer Bonding（外延级焊接）现状的应用是因为以现有机台来开发Micro LED技术及研发像素数量（Pixel Volume）较小的产品，但产能及工时成本皆是挑战，未来转移技术将是以薄膜转移（Thin Film Transfer）的各种技术为主。

　　五大薄膜转移技术包含：

1. 静电吸附

2. 凡得瓦力转印

3. 雷射激光烧蚀

4. 相变化转移

5. 流体装配

流体组装方式是一种高速度的组装技术，对各式之产品应用皆有较高的产出量（UPH），可以大幅度缩减组装工时及成本。

　　转移技术的选择需视不同之应用产品决定，最主要是考量设备投资、产出量（UPH）及加工成本等因素，另外各厂家之制程能力及良率的控制，可视为产品发展顺遂的关键因素。

　　按照当前的情况，智慧手环、智慧手表、室内显示屏的应用，将会是率先实现使用Micro LED的电子产品。但是由于转移技术的困难度比较高及各应用产品的像素数量(Pixel Volume)的不同，投入的厂商先以既有的外延焊接设备（Wafer Bonding）来做研发及选择像素数量（Pixel Volume）较少之应用产品为目标，以缩短开发的时间，也有厂商直接朝向薄膜转移 （Thin Film Transfer）技术的方向发展，但因设备需另外设计及调整，必需投入资源甚多及消耗更长的研发时间，也将会产生更多的制程问题。