1、G工程

　　成膜工程——G层Sputter (AL-Nb, Mo-Nd)

PR曝光工程——G-Mask PR曝光

刻蚀工程——G层湿刻

剥离

2、D/I工程

　　成膜工程——PCVD （SiNx）

成膜工程——PCVD （3层CVD）

成膜工程——D层 Sputter (Cr)

PR曝光工程——D-Mask PR曝光

刻蚀工程——D层湿刻1

Island干刻

D层湿刻2

Channel干刻

剥离工程——剥离

3、C工程

　　成膜工程——PECVD (SiNx)

PR曝光工程——C-Mask PR曝光

刻蚀工程——Contact Hole干刻

剥离

4、PI工程

　　成膜工程——Sputter （ITO）

PR曝光工程——PI-Mask PR曝光

刻蚀工程——ITO湿刻

剥离

5、ARRAY工艺介绍

　　洗净：清洁基板表面，防止成膜不良

　　溅射（SPUTTER)：成Gate膜、D/S膜和Pixel膜

　　PECVD：成a-Si膜和SiNx膜

　　PR/曝光：形成与MASK图案相一致的光刻胶图案

　　湿刻（WE)：刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的金属膜

　　干刻（DE)：刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的非金属膜

　　剥离：去掉残余的光刻胶

　　退火：修复晶体损伤，改善晶体性质

　　检查修复：监控产品不良，修复不良

　　5.1 洗净

5.2 洗净方法及原理概述

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5.3 Sputter

　　溅射( Sputter )是指利用电场加速的气体离子对靶材的轰击，使成膜材料从靶材转移到基板的物理成膜方法。

　　Sputter在工艺流程中的位置：

TFT中Sputter薄膜的种类和作用：

G配线：Al，传递扫描信号

　　D配线：Cr，传递数据信号

　　像素电极：ITO，存储数据信号

　　5.4 Sputter设备

5.5 PECVD

　　G-绝缘膜：SiNx，绝缘

　　a-Si：非晶硅，导电沟道

　　n+a-Si：N掺杂非晶硅，欧姆接触

　　PA-SiNx：SiNx，保护

5.6 PR/曝光

　　由洗净、涂覆、曝光、显影四大部分组成。

　　洗净： Excimer UV →RB＋AAJet→直水Spray→A/k

　　涂覆： 除水干燥→ Slit涂覆→ Spin 涂覆→减压干燥→端面清洗→前烘

　　曝光

　　显影：显影1→显影2→循环纯水Spray→直水Spray→A/K →后烘

↓↓

5.7 显影

5.8 湿刻

　　湿刻的目的

　　湿刻是通过对象材料（一般为金属导电膜）与刻蚀液之间的化学反应，对对象材料进行刻蚀的过程。

　　在TFT-LCD工艺中，主要是对Gate层（Mo/Al）、Drain层（Cr）及像素层（ITO）进行刻蚀。

湿刻设备概要

湿刻装置的构成

　　Etching槽：对基板进行刻蚀处理

　　水洗槽：通过纯水将刻蚀液冲洗

　　干燥槽：用A/K干燥基板

　　5.9 干刻

干刻原理：

　　反应气体在高频电场作用下发生等离子体（Plasma）放电。

　　等离子体与基板发生作用将没有被光刻胶掩蔽的薄膜刻蚀掉。

干刻装置：

大气Robot——从Cassette和L/L之间的搬送

　　L/L (Load Lock)——大气压和真空两种状态之间的切换

　　T/C (Transfer Chamber)——L/L和P/C之间的搬送。防止不纯物进入P/C，P/C内的特气外泄

　　P/C (Process Chamber)——真空中进行Plasma的物理、化学反应，进行刻蚀

　　5.10 剥离

　　剥离简介：刻蚀（干刻、湿刻）完成后除去光刻胶的过程。

剥离装置示意图：

剥离槽：利用剥离液溶解并剥离光刻胶

　　IPA槽：利用IPA置换剥离液。（防止Al腐蚀）

　　水洗槽：用纯水洗净处理液

　　干燥槽：利用A/K干燥基板

　　5.11 热退火

　　经过适当时间的热处理，修复晶体损伤，改善晶体性质。

6 4Mask工艺PR后像素照片