2010年2月7日，也就是半导体电路技术国际会议“ISSCC 2010”演讲开始的前一天，以三维半导体技术为核心的技术论坛“Silicon 3D-Integration Technology and Systems”召开。其中备受关注的是韩国三星电子发表的“TSV Technology and its Application to DRAM”。三星电子从03年开始研发TSV（through silicon via），并探讨该产品在DRAM及闪存上的应用。

　　三星表示，尤其是在移动DRAM及图形DRAM方面，TSV的重要性不断提高。在移动DRAM方面，09年前后导入了LPDDR2接口产品（单芯片的数据传输速度为3.2GB/秒）。2013年前后亮相的新一代移动DRAM的单芯片数据传输速度要求达到12.8GB/秒。并且，单个内存芯片的耗电量“需要控制在0.5W以下”（三星）。这就要求兼顾数据传输速度和耗电量，“现有的单端方式的LPDDR2 DRAM无法实现。而比较有效的方法是在微处理器芯片上直接层积多个基于TSV、具有数百个输入输出端子的DRAM芯片”（三星）。三星称，这种内存系统的TSV数量超过1000个。

　　关于图形DRAM，从兼顾数据传输速度及耗电量的角度来看，预计在不久的将来，现有技术就会碰到极限。关于GDDR5接口的新一代产品，三星表示“系统的数据传输速度要求达到512GB/秒以上，内存容量要求达到2GB以上”。现有的单端GDDR5 DRAM要想实现这一要求，“需使用16个单端子的、数据传输速度为8Gbit/秒的1Gbit产品，这是不现实的”（三星）。作为解决对策，“比较可行的方法是在GPU上层积多个图形DRAM，然后利用TSV使其实现相互连接”（三星）。