应用材料显示事业部（AKT）在日本横滨的2012年国际平板显示器展(FPDI2012)现场，通过视频会议系统向北京媒体宣布，推出分别采用低温多晶硅（LTPS）和金属氧化物材料的PXPECVD（等离子体增强型化学气相沉积）和PiVotPVD（物理气相沉积）薄膜沉积系统。

　　这两个系统主要应用于超高分辨率电视及移动设备高像素密度的8.5代LCD和OLED屏玻璃基板制造。

　　应用材料AKT的CVD产品营销执行总监肖劲松表示，PXPECVD系统包含3个平台：针对5代基板的15KPXPECVD，基板尺寸为1200x1300mm；6代基板的25KPXPECVD，基板尺寸为1500x1800mm；8.5代基板的55KPXPECVD，基板尺寸为2200x2500mm。上述三类基板厚度均为0.5~0.7mm。

　　PXPECVD的主要特点有：可满足LTPS薄膜晶体管430℃的工艺温度（非晶硅薄膜晶体管350℃）；在1.6~5.7m2玻璃基板上沉积出的薄膜厚度均匀性<5%（非晶硅薄膜晶体管为10~15%）；薄膜性能分布更严格；每个系统平台可放5个工艺腔，生产效率为每小时65块基板。工艺控制过程如图1所示。

　　应用材料AKTPVD产品总经理JohnBusch表示，对基于金属氧化物的薄膜晶体管，PiVotPVD系统采用旋转阴极专利技术，沉积具有高电子迁移率的铟镓锌氧化物（IGZO），以形成晶体管通道；消除了显示背板的雾化效应；所用的圆柱形靶材含杂质低（良率更高），沉积速率快，利用率提升了3倍，还可减少颗粒，实现自我清洁，使用80%后仍很干净；独特的磁铁运行模式使各膜层可在相对静止的状态下均匀沉积；气体输配、靶材侵蚀及阵列设计确保了薄膜晶体管的一致性（见图2）。

　　图1AKTLTPS的工艺控制过程

　　图2PiVotPVD系统可确保薄膜晶体管的一致性

　　肖劲松还指出，实际上，显示制造商在利用金属氧化物技术时，成本会比用传统技术上升20~30%；用LTPS技术时，成本会上升40~60%。但是，高电子迁移率会提升产品的整体经济效益。此外，传统方式的产品良率较低，而对于高像素、高清晰的显示产品，传统的非晶硅技术无法实现，只能采用LTPS或金属氧化物技术。通过雾性均匀性和颗粒性控制，可提高良率。

　　应用材料AKT称，目前已收到部分显示制造商对上述2类4种产品的订单。