“八问八答”全面解密LED芯片知识
摘要：1、 LED芯片的制造流程是怎样的? LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极，并能满足可接触材料之间最小的压降及提供焊线的压垫，同时尽可能多地出光。渡膜工艺一般用真空蒸镀方法，其主要在1.33×10?4Pa高真空下，用电阻加热或电子束轰击加热方
阅读：9692014年06月25日 14:52:58
摘要：1、 LED芯片的制造流程是怎样的? LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极，并能满足可接触材料之间最小的压降及提供焊线的压垫，同时尽可能多地出光。渡膜工艺一般用真空蒸镀方法，其主要在1.33×10?4Pa高真空下，用电阻加热或电子束轰击加热方
阅读：9692014年06月25日 14:52:58摘要：外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(P极，N极)，接下来就用激光切割外延片，然后百分百分捡，根据不同
阅读：11222014年06月25日 14:52:58摘要：外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(P极，N极)，接下来就用激光切割外延片，然后百分百分捡，根据不同
阅读：12512014年06月25日 14:52:58摘要：发光二极体( LED)的发光效率远高于传统光源，耗电量仅约同亮度传统光源的20%，并具有体积
阅读：16242014年06月25日 14:52:58摘要：2013年9月5日，首届“第三代半导体材料及应用发展国际研讨会”在深圳成功召开，来自中科院半导体研究所、南京大学、北京大学、科锐公司、西安电子科技大学等研究机构以及企业的近百名人士参加了此次会议。 苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千先生在会上
阅读：11092014年06月25日 14:52:59摘要：传统的氮化镓（GaN） LED元件通常以蓝宝石或碳化硅（SiC）为衬底，因为这两种材料与GaN的晶格匹配度较好，衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆（6"或更大）来发展GaN，因为硅衬底可显著降低成本，而且可以在自动化IC生产线上制造
阅读：10522014年06月25日 14:52:59摘要：目前在 LED制程中，蓝宝石基板虽然受到来自Si与GaN基板的挑战，但是考虑到成本与良率，蓝宝石在近两年内仍然具有优势，可以预见接下来蓝宝石基板的发展方向是大尺寸与图案化（PSS）。由于蓝宝石硬度仅次于钻石，因此对它进行减薄与表面平坦化加工非常困难，
阅读：9692014年06月25日 14:52:59摘要：技术发展和工艺改进，使 LED成本大幅度下降，推动了LED应用的全面发展。为进一步提升LED节能效果，全球相关单位均投入极大的研发力量，对LED性能、可靠性进行深入的研究开发，特别在LED衬底、外延、芯片的核心技术研究方面，已取得突破性成果。对LED发展提出
阅读：10072014年06月25日 14:52:59摘要：上游芯片技术一直是国内 LED的瓶颈，核心技术大部分都掌握在国外，下面介绍一下芯片制程的工艺： 1. LED芯片检验 镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑lockhill芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求电极图案是否完整 2.LED扩片 由于LED芯片在划片后依然排
阅读：9152014年06月25日 14:53:00
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