硅基氮化镓在大功率LED的研发及产业化
摘要：日前，在广州举行的2013年 LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓 大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底大功率LED研发及产业化和大尺寸硅衬底LED技术的最新进展
阅读：11392014年06月25日 14:53:00
摘要：日前，在广州举行的2013年 LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓 大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底大功率LED研发及产业化和大尺寸硅衬底LED技术的最新进展
阅读：11392014年06月25日 14:53:00摘要：1.正向电压下降，暗光 A:一种是电极与发光资料为欧姆触摸，但触摸电阻大，首要由资料衬底低浓度或电极残缺所形成的。 B:一种是电极与资料为非欧姆触摸，首要发生在芯片电极制备进程中蒸腾第一层电极时的挤压印或夹印，散布方位。 别的封装进程中也能够形成正
阅读：13552014年06月25日 14:53:00摘要：1. LED芯片检验 镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑lockhill芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求电极图案是否完整 2. LED扩片 由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小(约0.1mm)，不利于后工序的操作。采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，使LED芯片的
阅读：12652014年06月25日 14:53:01摘要：LED 板上芯片(Chip On Board,COB)封装流程 首先是正在基底表面用导热环氧树脂(一般用掺银颗粒的环氧树脂)覆盖硅片安放点， 然后将硅片 间接安放正在基底表面， 热处理至硅片牢固地固定正在基底为行， 随后再用丝焊的方法正在硅片和基底之间间接建立电气连接
阅读：15942014年06月25日 14:53:01摘要：一、 研磨首部曲——上蜡 LED芯片研磨制程的首要动作即“上腊”，这与硅芯片的CMP化学研磨的贴胶意义相同。将芯片固定在铁制(Lapping制程)或陶瓷(Grounding制程)圆盘上。先将固态蜡均匀的涂抹在加热约90~110℃的圆盘上，再将芯片正面置放贴附于圆盘，经过加
阅读：12712014年06月25日 14:53:01摘要：要想得到 大功率LED器件，就必须制备合适的大功率 LED芯片。国际上通常的制造大功率 LED芯片的方法有如下几种： ①大尺寸法。通过增大单体LED的有效发光面积和尺寸，促使流经TCL层的电流均匀分布，以达到预期的光通量。但是，简单地增大发光面积无法解决散热
阅读：10712014年06月25日 14:53:01摘要：蓝宝石由于具有与GaN大体匹配的晶格，以及与同质衬底相比的成本效益，是 LED开盒即用晶片的卓越材料。在诸如商业和住宅 照明等应用不断增加的需求推动下，为了满足今后数年里预期的市场增长，LED市场将需要越来越多的低成本LED级蓝宝石。蓝宝石的高熔点导致
阅读：11292014年06月25日 14:53:02摘要：蓝宝石晶片目前广泛用作III-V族 LED器件氮化物外延薄膜的衬底，然而由于氮化物和蓝宝石大的晶格失配和热膨胀系数的差别，使得在衬底上生长的氮化物材料位错和缺陷密度较大，影响了器件的发光效率和寿命。图形化衬底(PSS)技术可以有效地减少外延材料的位错和
阅读：27872014年06月25日 14:53:02摘要：LED封装是将外引线连接到 LED芯片的电极上，以便于与其他器件连接。它不仅将用导线将芯片上的电极连接到封装外壳上实现芯片与外部电路的连接，而且将芯片固定和密封起来，以保护芯片电路不受水、空气等物质的侵蚀而造成电气性能降低。另外，封装还可以提高 L
阅读：12252014年06月25日 14:53:04
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