本研究实验部分之结构是以类似超薄分离量子井掺杂结构使元件能有最低的起动电压、最好的发光效率、以及最高的电激发光强度[2]，再利用模拟软体(ETFOS)以调变发光层中Alq3其Gause分佈之半高宽宽度的方式，并将模拟所得到的结果与实验所得之发光光谱相比对，藉此了解实验中改变不同掺杂浓度所对应其半高宽宽度改变的相对关系。
结果发现当实验裡掺杂浓度越浓时，模拟中所需调变之Gause分佈半高宽需越小，才可使模拟中光谱图的Alq3之波峰降低，由于Alq3发光光谱波形是在一固定范围裡，所以如果以Gause分佈来看，其半高宽越小则代表光强度越低，此可验证当红光掺杂物太浓时会有较纯的红光，但亮度却会比低掺杂浓度低时来的弱；反之，半高宽越大则表示，红光掺杂物掺杂太少时会有较强之光强度，但元件于高亮度下则会显示橙色而不是纯的红色光。综合以上，可把模拟应用于实验上，利用模拟验证其相关理论，以方便往后製作理想之有机发光二极体。
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