致力于通过新一代“TaRF6”工艺改善智能手机的性能

　　东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)宣布，该公司已面向支持LTE-Advanced技术的智能手机开发出SP12T[1]射频(RF)天线开关集成电路(IC)，实现业内最低水平的插入损耗[2,4]和射频失真[3,4]。样品出货即日启动。

　　随着移动通信技术的普及，射频频带和数据传输速率的量也正显著增加。对移动设备射频电路中所使用的天线开关IC的要求正逐渐朝着多端口，以及改善射频性能的方向发展。此外，为了满足新兴市场高数据传输速率移动通信设备急剧增长的要求，以具有成本效益的方式来改善这些射频性能实属必要。

　　为了响应这些要求，东芝现已开发出新一代采用绝缘体上硅(SOI)技术[6]的TarfSOITM（东芝高级射频SOI技术）[5]工艺“TaRF6”。TarfSOITM实现了将模拟、数字和射频电路集成于单一芯片的目标。相比其它的传统解决方案，例如砷化镓(GaAs)，该工艺提供了一种高性价比解决方案，支持高度复杂的切换功能和射频性能。

　　借助“TaRF6”新工艺，为射频开关应用定制的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)已被开发并应用于新型SP12T射频天线开关IC中，从而带来0.42dB插入损耗(f=2.7GHz)以及-90dBm二次谐波失真[7]的性能。与之前的“TaRF5”工艺相比，插入损耗(f=2.7GHz)降低了0.26dB，二次谐波失真降低18dB。较低的插入损耗可降低智能手机的功耗，而较低的谐波失真则有利于开发需要低失真的载波聚合[8]智能手机。

　　东芝将于今年年底扩大采用具有低插入损耗和低失真的“TaRF6”工艺的产品阵容，以满足全球正在部署的长期演进(LTE)技术所需的多端口和复杂功能的要求，而LTE-Advanced[9]技术有望紧随其后。此外，东芝正考虑提供采用TarfSOITM技术的SOI晶圆代工服务。

　　注释

　　[1]单刀12掷开关

　　[2]当电流在射频电路中从一端流向另一端时所产生的电功率损耗，以分贝表示。

　　[3] 当电流在射频电路中从一端流向另一端时，输出信号中出现的多余频率分量。

　　[4] 截至2014年9月10日的射频天线开关市场。东芝调查。

　　[5] TarfSOITM是东芝公司的商标。

　　[6]该技术在MOSFET的通道下形成一层绝缘膜，并降低杂散电容，以改善CMOS LSI的速度和功率节省量。

　　[7]具有2倍频率的失真分量。

　　[8]一种同时使用多个频率载波来增加传输数据速率的技术。为了避免与接收器频段重叠的谐波分量的接收性能出现下降，该应用需要更低的谐波性能。

　　[9]一种由3GPP标准开发组织制定的新通信标准。由国际电信联盟(ITU)定义的第4代移动通信系统中的一种。