在2016中国平板显示学术大会的TFT器件及相关技术的分论坛上，深圳市华星光电技术有限公司工程师周星宇作了题为《新型固相晶化法制备多晶硅薄膜晶体管及其性能优化》的演讲报告。以下为演讲文字实录：

　　固相晶化是有别于ELA的一种多晶硅化技术，指通过使固态下的非晶硅薄膜的硅原子被激活、充足，使非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜的晶化技术。但结晶过程时间较长，为了量产通常会将结晶温度升高。

　　和传统的技术比，我们新型的固相晶化技术可以使最短的时间内成为多晶硅膜，我们的方法是可以在比较短的时间内使得薄膜完全结晶。

　　这个技术的关键点是在TFT制成之前，与我们传统的制作是一样的，流程主要包括成晶，粒子的掺杂，然后是结晶，去掉掺杂，等等。在我们这个方法中有以下几个关键的制成对它的影响比较大，三个因素影响着结晶的比例和速率。因为牵涉到蚀刻，就有一个蚀刻均匀性的问题，以及最后离子掺杂的问题。华星自主开发的技术迁移率达到50%，在非金属诱导的结晶技术中，固相晶化的性能是最好的。IDW2015我们在国际上首次报道了这项新技术，目前已经申请了相关专利19篇，我们在不断的完善提高它。对于不断的完善首先第一步我们对这个SPC结晶工艺的改善，最主要是两方面的改善，其实我们还做了别的方面比较小的改善，第一是掺杂了改善的条件，我们以A和B的方式来改善，A是改善以前的，加入了一定的时间，结晶率不是很高，如果改善它的掺杂条件，在相同的结晶时间内，它的结晶率可以更高，并且我们可以认为它达到了完全结晶的状态，需要的时间就更少。第二个改善规模的整体条件，我们通过了反复的萃取，比如对比改善前后的条件，可以发现不光可以把完全结晶所需要的温度降下来，也可以把时间缩短，这两个都是很不容易的。目前的工艺也是可以在650摄氏度推广15分钟就可以完成完全结晶。

　　改善结晶的工艺，降低了完全结晶所需要的温度和时间，它其实就是节省了成本，也保证了质量。从我们在改善之后，我们制作的这个情节接触比较好。漏电的降低主要归结于多晶硅薄膜内部缺陷的减少，是的载流子传输更为顺畅，也减少了漏电的路径。另一方面是可靠性的改善，薄膜结晶品质的提升，可以改善电信，而且一定程度上改善了可靠性。结晶质量改善的情况下，如果改善结晶工艺，它的薄膜结晶质量变好以后，它甚至可以改善到2.5伏，但是这个值还是很大，我们不是很满意。接下来就是怎么样提高我们方法的可靠性，我们发现其实这两种方法是不太一样的，我们又做了大量的工作改善它的可靠性。主要包括三个方面，GI沉积前我们做了一些改善，另外调节GI的沉积条件。这是改善以后的测试图，从数据看出我们关注的PPTS由改善前到改善后的2.5伏，优化以后可以达到一伏，另外是NBTS虽然不是很多，但也有一定的改善，这都在一伏以内，达到了比较好的可靠性。

　　我们采用了顶发光的结构，2T1C电路驱动，NTFT作为开关TFT，PTFT作为OLED的驱动TFT。对于这项技术我们进一步的开发，既然做成了这样的技术，它与我们目前8.5代线的兼容性更好，这个技术我们是刚刚在研发之中，只是做出来一个电信，它的器件性能还不是很好，有待于进一步的优化。

　　最后把OLED面板删除，我们得出的对比，我们的技术具有均匀性好，适用于大尺寸，可以制作CMOS，电性可靠性优良等优点。它的工艺可以更容易实现窄面框，未来将用在量产上，需要进一步的降低它的温度，优化器件的性能，使它成为一种高性能、低成本的技术。