近日，上海芯元基半导体科技有限公司（以下简称：芯元基半导体）宣布在Micro LED芯片研发上又取得重大进展，全屏点亮了适合微显示的5μm Micro LED 芯片阵列，成功研发出16*27微米直显用薄膜倒装Micro LED芯片，突破了微显示用Micro LED芯片制备的关键技术。

　　? 5μm Micro LED芯片 8μm Pitch阵列全屏点亮实物图

　　据芯元基半导体介绍，此次Micro LED 芯片阵列尚未键合到CMOS基板上，只是将所有阵列的8万多颗芯片以并联形式供电，开启电压为2.9V，在没有任何电压补偿的情况下，也就是每个芯片在相同电压的情况下亮度均匀性已达到人眼观看无色差感的程度。芯元基Micro LED产品性能的优越性，源自于芯元基多年研发积累的特有衬底技术、外延技术和芯片技术的融合体现。

　　在此之前，芯元基半导体刚于本月初宣布通过其独立知识产权的DPSS衬底技术、侧向外延生长技术和化学剥离蓝宝石衬底技术成功开发出了10-50μm的GaN基薄膜倒装Micro LED芯片。

　　据了解，芯元基的侧向外延生长技术可以把GaN外延层中的位错密度降到10^7cm² (10的7次方每平方厘米)，而且还可以控制位错的位置，将Micro LED阵列安排到没有位错的位置，解决困扰行业的不均性问题。

　　同时，芯元基独创化学剥离蓝宝石衬底技术，与行业现有的激光剥离蓝宝石衬底技术相比，该技术能够实现100%的剥离良率，而且对GaN，特别是InGaN量子阱无损伤，在规模化量产后具备较明显的成本优势。此外，化学剥离蓝宝石衬底技术还与现有的半导体晶圆加工技术有非常好的兼容性，可以利用现有的半导体晶圆临时键合技术实现晶圆级巨量转移。

　　在Micro LED芯片结构上，芯元基半导体利用沟槽结构取代了常规的台面结构，实现了P电极和N电极的等高，解决了驱动背板上的焊点和芯片电极高度不匹配的问题。据芯元基介绍，其芯片工艺保证了芯片只有一个具有纳米粗化结构的出光面，芯片的四周及其底部具有相应的反射结构，解决了显示光串扰问题的同时，进一步提高显示亮度。

　　据透露，芯元基半导体的Micro LED芯片可应用于车载显示、AR/VR等显示领域，目前，产品已给面板厂家送样，并拿到了研发用订单。