GaN是蓝光LED的基础材料，在Micro-LED、紫外激光器中有重要应用。Micro-LED被认为是下一代显示技术，而硅衬底GaN基技术的特性是制造 Micro-LED芯片的天然选择。在2022中国国际Mini/Micro-LED产业技术峰会上，东莞市中麒光电技术有限公司（以下简称“中麒光电”）总经理孙明以“Mini/Micro LED技术和应用实践”为主题，分享了中麒光电在GaN材料上的应用，以及微显示领域的产业实践和材料器件领域的产业探索。

　　东莞市中麒光电技术有限公司总经理 孙明

　　孙明表示，目前GaN材料主要有两大应用领域：一是产业化规模很大的通用照明、景观照明、数码和户内显示以及背光等；二是非发光领域的应用，比如Power、RF、LD、HEMT。他也介绍，中麒光电基于GaN材料，通过Mini-LED和Micro-LED向下游延展到模组、面板，进而形成了中麒光电的微间距显示平台，同时向下游又延伸到器件，重点涵盖了RF、PD、LD，进而形成了中麒光电的材料器件平台。他认为，“我们将在未来某一个时间段通过产品的集成完成发光材料和非发光材料的融合。这也是中麒光电在产业布局以及产业路径上面的重大产业实践。”

　　孙明认为，“氮化物材料将成为引领产业变革的破局点，目前电视基于硅晶体管得以实现发光器件，而GaN也同样可以作为微显示领域Mini/Micro-LED芯片的直显材料，同时可以通过非发光器件实现所有的产业集成。”同时，他也认为，新能源汽车是中国近年来最成功的产业案例，其通过总线/集成变革，最后实现了中国新能源汽车行业的弯道超车，“我们一直认为，GaN材料是显示领域极有可能实现的第三代半导体，也是化合物半导体在一些重要产业的产业发展路径。这也是我们对产业或者对GaN材料的理解。”

　　孙明也详细介绍了中麒光电在微间距显示领域的产业实践以及取得的成果。2018年，中麒光电除了完成Mini和Micro芯片以外，还重点布局了巨量转移技术，也是其最引以为傲的技术。中麒光电不仅率先在全球实现了巨量转移的全产业化，还开发了自主研发的设备。他介绍，中麒光电巨量转移技术采用了激光转移方案，良率已经达到99.999%。目前中麒光电实现了巨量转移设备的拓展应用，P5主要应用于电视、车载显示、显示器背光，而P1.0以下主要应用于小间距LED、Mini-LED，将为未来Micro产业化奠定产业基础。

　　而在目前量产的COB领域，孙明也介绍，除了巨量转移设备以外，中麒光电的巨量转移线可以全自动化无人接触，使巨量转移良率达到99.999%，而且实现了在线修复和检测，修复后可以实现良率100%，可以让巨量转移线实现COB完全量产综合良率达到97%。

　　除了在芯片领域储备了诸多技术之外，中麒光电还完成了芯片级封装，下一步会进入到晶圆级的封装。孙明表示，参考硅晶半导体的行业发展规律，集成封装的下一个集成方式就是2.5D或者3D封装，“目前全色系Mini& Micro芯片、芯片级封装、集成封装已基本实现，未来将要重点实现QD色转换、晶圆级封装、2.5D/3D先进封装。”

　　关于技术路线的突破，他也介绍，目前中麒光电主要有两个技术方案：MIP与COB技术方案。这两种方案在2022年都实现了产业化，且两大技术路线齐头并进，预计在2023年底，在Micro领域实现融合破局。他表示，“MIP很多技术是非常线型的，可以很快实现产业化，但COB有很多关键的技术，比如芯片、基板的精度等，需要爬一些陡坡。经过这几年的量产和实践，我们把两种技术路线合并成Mini COB，统一成一个产品。我们用两种产品路线实现Micro技术方案，有可能这是最容易实现的产业路径。”

　　孙明表示，关于材料器件领域的探索，中麒光电也对一些产业化方案进行了实践， 比如，GaN材料在器件上的应用，率先通过在电源效率提升方面的组合应用，配合一些硅基封测和硅晶半导体的器件方案，做了一些产业路径实践。然而，关于GaN两个发光材料和不发光材料的产业融合，他认为，通过微显示产品形态，比如AR/VR的Micro-LED显示，最后这些技术融合会带来GaN为代表的化合物半导体的产业融合。

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