LTE设备市场的迅速增长对射频前端的性能提出了前所未有的要求：拥有可以支持更多频段的可扩展性;拥有可调谐的能力并且保证搞个理性，可以解决多通路同时使用时带来的问题;对所有支持的漠视和频段的切换，只需相对简单的调整;有证竞争力的功放效能。而UltraCMOSGlobal1的应运而生为“一款可以全球范围内使用的移动终端”的愿望提供了可行的思路。

　　作为行业中第一个全集成可配置射频前端系统，UltraCMOSGlobal1集成了三通道MMMBPA(多模多频段功放)模块，PA切换开关模块，天线切换开关模块和天线调谐模块等射频前端需要的所有元件。支持包络跟踪技术，并具有通用的RFFEMIPI控制接口。

　　UltraCMOSGlobal1是一种易于使用的数字控制射频前端，适用于一切模式和频段，隔离性能好，解决了互操作问题。它可以扩展，轻而易举地支持更多的频段，而且开关损耗小，可调谐。其高水平的可重构能力得益于Peregrine半导体公司的UltraCMOS10技术平台。UltraCMOS10是一种130纳米的RF-SOI工艺技术，比起同类的解决方案，在性能方面提高了50%。UltraCMOSGlobal1就是在这个技术平台上制造而成的。

　　Global1强化了可配置功率的概念。Global1对频段和模式可配置的操作方法，改善了射频性能。可配置的射频和偏置设计，缩小了由于支持模式和频带不同给手机方案设计带来的差异。另外，通过自动调谐的优化方法也加速了项目设计规划。

　　值得一提的是UltraCMOSGlobal1集成了业界第一个LTECMOS功率放大器(PA)，其纯PA性能达到了和GaAs工艺技术相同的水平，其性能高出同类产品10%。此外，对于LTE波形，在不同资源块分配的情况下，UltraCMOSGlobal1功放的PAE性能与GaAs功放相当。

　　据悉，UltraCMOSGlobal1的平台整合将在2014年完成，将于2015年实现量产。