12月13日消息光刻机大厂ASML宣布，与韩国三星电子签署备忘录，将共同投资1万亿韩元在韩国建立研究中心，并将利用下一代极紫外（EUV）光刻机研究先进半导体制程技术。

　　值得一提的是，上个月初有消息表示，三星电子在五年内从ASML采购50套设备，每套单价约为2000亿韩元，总价值可达10万亿韩元。

　　三星电子于2022年6月推出了全球首个采用全栅极（GAA）技术的3纳米半导体芯片制程技术后，三星一直在努力确保能采购更多EUV光刻机，目标是使该公司能在2024年上半年进入第二代3纳米制程技术，2025年进入2纳米制程技术，并在2027年进入1.4纳米半导体制程技术领域。

　　正因如此，三星集团董事长李在镕在2022年6月访问了ASML总部，与ASML执行长Peter Bennink讨论了EUV的采购问题，并在同年11月与访问韩国的Peter Bennink进行了进一步会谈。鉴于EUV光刻机从下订到交货的时间至少需要一年，当时的会面讨论开始在现在开花结果。

　　另外，先前ASML也曾经表示，计划在2023年底前发表首台商用High-NA （NA=0.55） EUV光刻机，并在2025年量产出货。这使得自2025年开始，客户就能从数值孔径为0.33传统EUV多重图案化，切换到数值孔径为0.55 High-NAEUV单一图案化，降低制程成本，提高产量。目前，预估 High-NA EUV 曝光季将会有五大客户，包括英特尔、台积电、三星、美光等。

　　ASML, High NA EUV量产设备 2025年正式供应

　　荷兰ASML将加强极紫外线(EUV)曝光机设备的支配力。明年将供应0.33镜头开口数(NA:Numerical Aperture)设备“NXE:3800E”。High NA即0.55 NA设备将于2025年商业化。

　　12月12日，ASML Korea在由thelec主办的“Advanced Lithography&Patterning Tech Conforence”上公开了“未来10年EUV路线图”(EUV roadmap to the decade)。

　　EUV曝光设备由ASML独家生产。用于制造3nm以上系统半导体和10nm级DRAM。TSMC、三星电子、英特尔、SK海力士、Micron等是主要客户。

　　ASML Korea韩国郑振恒常务称：“从2018年量产设备上市到2023年第三季度为止，已经交付213台0.33NA设备，每台每天消化3000张左右的晶圆。这意味着需要具备每天能生产3000张以上的设备。”

　　2024年新产品NXE:3800E每小时可处理多达220张晶圆。机器套刻误差(MMO:Matched Machine Overlay)为0.9nm。与前款产品相比，生产量提升40%， MMO提高了0.2nm。

　　郑常务表示：“为了提高生产效率，不仅提高了晶圆处理速度，还提高了激光照射强度，将测量传感器增加到了2个”，“尽管如此，与2018年首次开发的设备相比，每片晶圆的能耗量减少了42%”。

　　0.55 NA设备将于2025年开始供应。0.55 NA设备也称为High NA设备。目前，所有使用0.33 NA设备的企业都确定导入0.55 NA设备。当NA值上升时，可以刻画出更细微的电路。

　　郑常务称：“用于研发(R&D)的0.55 NA首台设备‘EXE:5000’在第四季度供应，量产用的0.55 NA设备‘EXE:5200B’将从2025年开始供应。将采取在荷兰总部组装由美国德国等国制造的4个模组并交付的形式。”

　　EXE:5200B的目标是220张MMO 0.8nm每小时晶圆处理量。

　　郑常务补充称：“为支持High EV工艺转换和光刻胶(PR)，Mask等生态系统进行的研究也在持续进行。半导体市场虽然目前停滞不前，但2030年将增长到1万亿美元的规模，对此ASML将致力于及时供应设备。”