近日有消息称，ASML将于未来几个月内推出2nm制程节点制造设备，并计划在2024年生产10台2nm设备，英特尔已采购其中6台。新一代的高数值孔径 (High-NA) EUV光刻机可以将聚光能力从0.33提高至0.55，能够获得更精细的曝光图案，用于2nm制程节点。未来几年，ASML希望将这种最新设备的产能提高至每年20台。

　　此前，英特尔表示已开始在其位于爱尔兰价值185亿美元的工厂采用EUV光刻机进行大量生产。爱尔兰厂是英特尔首次尝试使用EUV 技术进行大量制造。英特尔希望凭借其制造技术重新夺回领先地位。

　　自2017年ASML的第一台量产的EUV光刻机正式推出以来，三星的7nm、5nm、3nm工艺，台积电的第二代7nm、5nm、3nm工艺的量产都是依赖于0.33 数值孔径的EUV光刻机来进行生产。目前，随着三星、台积电、英特尔3nm制程的相继量产，目前这三大先进制程制造厂商都在积极投资2nm制程的研发，以满足未来高性能计算等先进芯片需求，并在晶圆代工市场的竞争当中取得优势。而2nm工艺的实现则可能需要依赖于ASMLHigh-NA EUV光刻机。

　　目前ASML正在开发的0.55 NA的High-NA EUV光刻机，分辨率为 8nm，能够帮助芯片制造商生产2nm及以下更先进制程的芯片，并且图形曝光的成本更低、生产效率更高。据研究机构KeyBanc此前表示，一台0.55 NA EUV光刻系统的成本预计为3.186亿美元，而正在出货的0.33 NA EUV光刻系统则为1.534亿美元。