中国台湾晶圆代工大厂力积电传出将和日本新创企业合作、目标在2029年量产磁阻式随机存取存储器(MRAM、Magnetoresistive Random Access Memory)，将利用力积电计划在日本兴建的晶圆厂第2期工程产线进行量产。

　　日经新闻2月4日报导，力积电将在2024年上半年和发源于日本东北大学、从事半导体技术研发的新创企业「Power Spin」进行合作，目标量产MRAM。据报导，东北大学长年来持续研究MRAM，而Power Spin将提供MRAM IP给力积电，力积电在推动研究、试产后，目标在2029年开始进行量产，期待可应用于生成式AI用资料中心。

　　报导指出，力积电携手日本网络金融巨擘SBI Holdings、计划在日本宫城县兴建晶圆厂，而该晶圆厂将分为2期工程，第1期工程目标2027年投产、第2期工程目标2029年投产，而力积电预计将利用第2期工程产线、于2029年量产MRAM。

　　据报导，理论上来说，MRAM耗电力可压低至现行存储器(DRAM、NAND Flash)的1/100，且写入速度快、即便切断电源资料也不会消失，不过除了制造成本高之外，和现行存储器相比，耐久性、可靠性等问题仍需克服，而力积电计划藉由量产、压低MRAM成本。

　　据报导，美国半导体大厂Everspin Technologies已量产MARM产品，而Power Spin首席技术长远藤哲郎(东北大学教授)指出，2022年MRAM市场规模达300亿日圆。

　　力积电、SBI 2023年10月31日宣布，双方计划在日本兴建的首座晶圆厂确定将落脚宫城县、已选定宫城县黑川区大衡村的第二北仙台中央工业园区为预定厂址。上述晶圆厂将分为2期工程，第1期工程目标2027年投产、以12吋硅晶圆换算的月产能为1万片，将生产40nm、55nm芯片，第2期工程预计2029年投产，除上述40nm、55nm产品之外，也将生产28nm以及活用WoW(Wafer-on-Wafer)技术的芯片，届时工厂满载生产时、月产能将达4万片。