JOLED是日本OLED面板制造公司,由Sony、松下、JDI和日本产业机构在2015年1月合并而成,自其成立开始,便带有浓厚的神秘色彩。在16年9月举办的国际会议「International Conference on Flexible and Printed Electronics(2016年9月6~8日、山形大学)」上,JOLED公司的负责人对JOLED的现状和未来发展规划进行了详细的解说。
JOLED的OLED技术
OLED成膜技术类型
OLED面板发光层的成膜技术分为RGB打印、白光蒸镀和RGB蒸镀三种(图1所示),其中RGB蒸镀需要使用高精细度的金属Fine Mask,适合智能手机等小尺寸面板的量产,而白光蒸镀不使用Fine Mask,适合大尺寸面板的量产,但是白光OLED面板需要使用Color Filter对白光进行过滤,会导致3/4光的损失,使面板的色纯度与发光效率成为一对矛盾的参数。
图1 OLED成膜技术比较(JOLED提供资料)
目前大多数OLED面板公司都采用蒸镀技术,但蒸镀制程需要真空环境和金属Mask,特别是RGB蒸镀的方式,对金属Mask的精度要求很高,制造难度较大。另外,蒸镀制程还存在TS距离、均匀性、材料利用率等问题。
打印技术的特征
RGB喷墨打印是指在大气环境下将RGB材料分别打印在基板上的技术,与蒸镀技术不同,打印技术有很多优点:
不需要真空环境,设备投资较少,保养维护也较为容易;
不需要mask,基板也不用面向下放置,生产大尺寸面板较容易;
使用溶剂型材料,材料很难喷溅到其他地方,材料利用率很高,有利于量产的成本节约;
喷头通用性强,基板stage尺寸允许的情况下,设备能对应不同尺寸的基板;
换线和保养时间短,能有效缩短生产节拍,提高生产效率。
目前JOLED正在开发RGB三种颜色的打印技术,期望以其较高的生产效率来弥补蒸镀技术的不足。但是打印使用的有机材料信赖性较差,为此JOLED特别制定了相应的改善措施(如图2所示)。从器件、制程、材料和设备的观点出发,JOLED认为亮度和寿命是首先要解决的问题,制定了问题改善的路线图(如图3所示)。
图2 打印技术的改善对策(JOLED提供资料)
图3 打印技术改善路线图(JOLED提供资料)
对于器件的亮度,JOLED以其2013年时做到的值为基准(一倍),今年已经做到了两倍,预计2018年可以做到三倍。目前打印技术的研究所在京都,但从2016年开始转移到石川县,在那里建立一条4.5代(730mm×920mm)量产线,用于300PPI以上精细度打印OLED面板的量产。
背板技术
OLED与LCD不同,需要能通过大电流的TFT来做驱动,a-Si(非晶硅技术)因为载流子迁移率太低,不适合做OLED的驱动。目前适合作为OLED驱动的TFT器件有LTPS(多晶硅技术)和IGZO(金属氧化物技术)。
其中LTPS技术在大面积多晶硅形成上尚有一些问题需要克服,而且整体生产成本较高,而IGZO技术的载流子迁移率虽然不及LTPS技术,但对于OLED也足够用了,其最大的优点就是在大面积生产时薄膜的均匀性较好,生产成本也相应较低。目前JOLED主要开发IGZO技术,但同时也在开发新的TFT制造技术。
IGZO TFT
对IGZO性能的要求,大致可以分为以下6项(图4所示)。
图4 IGZO TFT的性能要求(JOLED提供资料)
(1)光罩道数
光罩道数不对设备投资、光罩数量等这些无尘室相关项目有很大的影响,对成品良率影响也很大。因此,各家公司都想以尽可能少的光罩道数来实现高性能、高良率的TFT器件。JOLED的TFT技术是其前身之一的Sony开发的整合型顶栅极构造。
(2)载流子迁移率
OLED的驱动类型为电流驱动,驱动能力与载流子迁移率成正比,对于高精度和高开口率的面板来讲,必须使用高迁移率的TFT驱动。但是IGZO的载流子迁移率比LTPS要低,而且只能实现N型构造,无法制造出Si CMOS之类的MOS管结构,因此IGZO还存在周边电路功耗的问题。
(3)信赖性
图5表示的是IGZO TFT的特性,可以看出基板面内特性的均一性。一般来说,溅射法使用的靶材容易有消耗不均匀的问题,会导致基板面内薄膜沉积的不均匀,最终使TFT特性在基板面内有偏差。图5中有Biasstress的测试结果,考虑到实际使用的情况,在光照射下的测试也是必要的。
图5 IGZO TFT的特性
(4)基板尺寸
对于大尺寸基板来讲,IGZO技术比LTPS技术节省制造成本。不同世代都存在一个最佳产品尺寸,所以对于不同世代来讲IGZO和LTPS没有可比性,但从投资角度来讲,相同基板尺寸下IGZO的生产成本较低。另外对于模组成本来说,IGZO与LTPS没有太大的区别。
(5)生产性
IGZO制程较LTPS简单,在制造上来讲生产性会高一些。
(6)均一性
为了保证大面积内特性的均一性,除了膜厚以外,氧化物半导体的元素比例也需要精确控制(4种元素),成分控制与堆积速度是一对相互制约的参数,需要找出折中的最适合的值。
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